摘要：近期，全球存储芯片市场迎来新一轮涨价潮。以三星、美光、SK海力士为代表的国际大厂相继宣布减产并上调产品价格，叠加AI算力需求激增，存储供需缺口持续扩大。国内厂商在技术突破与产能爬坡的双重驱动下，正逐步缩小与国际厂商的差距，但短期内产能限制仍是关键挑战。

近期，全球存储芯片市场迎来新一轮涨价潮。以三星、美光、SK海力士为代表的国际大厂相继宣布减产并上调产品价格，叠加AI算力需求激增，存储供需缺口持续扩大。国内厂商在技术突破与产能爬坡的双重驱动下，正逐步缩小与国际厂商的差距，但短期内产能限制仍是关键挑战。

国际存储大厂减产提价，供需错位推升价格

减产策略加速供应收缩

自2024年末以来，全球存储原厂持续释放减产信号。美光计划在2025财年第二季度进一步削减NAND出货量，并在新加坡工厂因意外停电导致产能受损后，加速产能收缩。三星电子则宣布将中国和韩国以外的NAND闪存投片减少10%-15%，SK海力士亦计划上半年减产10%。这些措施直接导致全球存储芯片库存从2024年峰值的112天降至68天（WSTS数据），供应端压力显著上升。

涨价潮蔓延至消费级产品

3月初，闪迪率先宣布自4月1日起全渠道产品提价超10%。随后，三星、SK海力士等厂商跟进调价，NAND现货价格快速攀升。以512GBTLC晶圆为例，3月第一周价格环比上涨2.33%至2.5美元。TrendForce数据显示，NAND闪存价格涨幅已从消费级产品向企业级SSD等高附加值领域扩散，反映出供需矛盾的全面升级。

AI需求激增催化市场预期

AI算力需求成为存储市场的重要变量。据Bloomberg数据，2025年Meta、谷歌等科技巨头的资本开支预计同比增长36.8%，推动数据中心对高带宽存储（HBM）、大容量DDR5的需求激增。国内方面，阿里计划三年内投入3800亿元用于云和AI基础设施，腾讯、百度加速大模型应用落地。AI训练与推理环节对存储性能的高要求，进一步放大了市场对存储芯片的长期需求预期。

国产厂商技术突破，产能瓶颈待突破

3DNAND技术追赶国际水平

国内存储厂商在技术端取得关键进展。长江存储基于Xtacking架构的294层NAND已实现量产，其芯片面积较传统架构减少约25%，I/O速度显著提升。群智咨询指出，国产技术已接近国际头部厂商水平，但受限于产能规模，当前国内NAND产能仅占全球5%，短期内难以满足市场需求。

小容量NAND率先反弹，国产厂商提价空间打开

国内存储市场呈现结构性分化。小容量NAND（如eMMC32GB）受益于消费电子政策刺激，价格环比上涨3.8%。群智咨询分析认为，模组厂商承担小容量产品制造后，受原厂晶圆定价影响，成本压力倒逼国产厂商提价。长江存储旗下致态品牌计划4月上调渠道价格超10%，兆易创新、东芯股份等厂商的2DSLCNAND产品价格保持平稳，但技术迭代持续推进。

产能扩张与市场机遇并存

尽管国产厂商在3DNAND领域取得突破，但产能爬坡仍需时间。一家存储模组厂商透露，国内对国产NAND的采购量仍较低，主要受限于产能供给。国投证券分析指出，海外原厂减产为国产厂商腾出市场空间，叠加AI需求带来的增量机会，国内厂商有望通过技术升级与产能扩张巩固全球地位。预计2025年第三季度供需紧张加剧，存储价格或迎来新一轮上涨。

当前，存储市场正经历周期性与结构性变革的交织。国际大厂通过减产重塑价格体系，国产厂商则在技术突破与产能扩张中寻求突围。随着AI需求持续释放，存储产业链的长期价值有望进一步凸显。

来源：金融界