摘要：SK海力士开始开发一种新型存储器半导体LPW（低功耗宽 I/O）NAND 闪存，可实现低功耗和高带宽。

据闪德资讯获悉，SK海力士开始开发一种新型存储器半导体LPW（低功耗宽 I/O）NAND 闪存，可实现低功耗和高带宽。

下一代产品瞄准设备上的AI市场，与现有NAND闪存相比，有望通过大幅增加数据输入/输出（I/O）数量来最大限度地提高性能。

SK海力士上个月底向韩国知识产权局申请了“LPW NAND”商标。

LPW NAND闪存是一种通过增加I/O数量来提高处理速度，同时通过降低每条路径的速度来降低功耗的技术。

该策略是在需要高性能的领域（例如AI推理）提供新的存储解决方案。

LPW NAND闪存具有与SanDisk最近发布的“高带宽闪存（HBF）”类似的结构。

如果说HBM是通过垂直堆叠多个DRAM来扩展带宽的结构，那么HBF则是通过堆叠3D NAND闪存代替DRAM来大幅增加I/O数量的产品。

SanDisk HBF第一代可堆叠16层，确保高达512 GB的容量。

目标是在保持与HBM相似的带宽，同时将容量提高8到16倍。

在移动存储领域，迄今为止，NAND闪存与eMMC一直是主流，但向UFS的转变正在迅速推进。

三星电子旗舰手机Galaxy S25搭载了UFS 4.0。

由于LPW NAND闪存更注重性能，因此更有可能采用SLC。

如果（LPW NAND）是针对AI的产品，它可能会采用SLC而不是TLC或QLC，性能更重要。

三星电子正致力于LPW DRAM的开发。

这是一种堆叠并连接多个LPDDR（专用于移动设备的低功耗DRAM）的产品，类似于通过堆叠多个DRAM制成的HBM。

三星电子上个月在2025年国际固态电路会议（ISSCC）的主题演讲中表示，与LPDDR5X相比，LPW DRAM的目标是将输入/输出速度提高166%，第一款使用LPW DRAM的移动产品计划2028年发布。

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来源：随性自由的溪流qJt