摘要：近日，行业专家团队摘得国际权威期刊《Science》封面重磅成果：我国首创“固–液–固”晶体沉积技术，成功制备2英寸晶圆尺寸的 2D 硒化镓铟（InSe）半导体材料，并制备高性能晶体管，全面超越传统硅器件未来技术指标，标志着 InSe 有望开启后硅芯片时代的蓄
近日，行业专家团队摘得国际权威期刊《Science》封面重磅成果：我国首创“固–液–固”晶体沉积技术，成功制备2英寸晶圆尺寸的 2D 硒化镓铟（InSe）半导体材料，并制备高性能晶体管，全面超越传统硅器件未来技术指标，标志着 InSe 有望开启后硅芯片时代的蓄势待发。
本稿将呈现这一重大技术突破的全貌，通俗解析其工程可行性、产业推进价值，以及未来在 AI、柔性电子等领域落地的潜力，适合转化为视频内容加速受众理解。
硒化铟，常被称为“黄金半导体”，拥有理想的性能组合。 图片来源：北京大学；侵删
传统 InSe 受元素挥发压差大、相稳定复杂，长期只能制备微米级晶片，难以实现晶圆级量产。行业专家团队率先提出“固–液–固”生长策略：
首先磁控溅射沉积一层无定形 InSe 薄膜；封装低熔点铟金属覆盖，置于氧化石英腔室；升温至约 550 °C，铟熔融形成局部富铟液相，驱动衬底界面 InSe 定向结晶；最终获得晶体结构规整、原子比精准为 1:1、质量均匀、亚相纯净的 2 英寸 InSe 晶圆。使用上述晶圆制造晶体管阵列，器件指标显著领先：
电子迁移率高达 287 cm²/V·s：远超目前所有 2D 半导体器件上限，元件开关更迅捷精准。亚阈值摆幅每十倍电流变化约 67 mV/dec：接近玻尔兹曼极限，开关效率高、漏电极低。深亚 10 nm 门长依然稳定工作：漏源感应降低（DIBL 小），能延迟积优于 IRDS 2037 年预估，显示出优异能源效率。国外专家评审总结：“This work represents an advancement in crystal growth”，高度认可其晶体生长创新意义。
固–液–固工艺在温度与步骤方面已接近 CMOS 后端封装标准，具备快速与既有生产线融合的可能性，显著降低产业接轨的时间与成本风险。
未来可能迅速应用于：
AI 模型加速器（低温推理、边缘智能）柔性/透明电子设备与传感器（超薄材质、高能效）自动驾驶芯片、固态摄像头模组（快响应、抗辐射）结合降本、降功耗、降耗散优势，预计 2030 年前 InSe 晶圆或成为高端芯片重要备选材料。
来源：万物云联网
