摘要:英特尔的18A节点工艺的一个重大成就是采用了BSPDN(背面供电)技术,即将供电过程转移到晶圆的背面。此外,结合RibbonFET环绕栅极技术(GAA)和令人印象深刻的芯片密度,18A有望成为台积电等公司顶尖工艺的有力竞争对手,使IFS直接进入主流市场。
Intel官方网站悄然更新了对于18A工艺节点的描述,称已经做好了迎接客户项目的准备,将在今年上半年开始流片。
英特尔的18A节点工艺的一个重大成就是采用了BSPDN(背面供电)技术,即将供电过程转移到晶圆的背面。此外,结合RibbonFET环绕栅极技术(GAA)和令人印象深刻的芯片密度,18A有望成为台积电等公司顶尖工艺的有力竞争对手,使IFS直接进入主流市场。
据传,18A首次正式集成将应用于英特尔即将推出的Panther Lake移动SoC以及Clearwater Forest Xeon服务器CPU。此外,最近有传言称英特尔下一代Celestial独立显卡(dGPU)也将采用英特尔代工的工艺,可能就是18A。因此,英特尔内部采用将是公司的首要任务。
目前,还不清楚有哪些合作伙伴会将18A整合到他们的产品组合中,但据说博通(Broadcom)等多家公司正在积极争取。鉴于英特尔已宣布将在2025年上半年进行流片,预计该工艺将在2025年下半年投入实际应用,前提是英特尔成功解决了良率和芯片集成问题。
来源:CHIP奇谱
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