美国对华芯片封锁感到后悔 中国高端芯片以一国之力挑战整个西方

B站影视 2025-02-06 15:58 3

摘要:2018年,川普带着世界所有发达国家和高端半导体企业贸然对中国芯片半导体发起浩浩荡荡的全方位制裁和围剿,似乎间,美国找到了遏制中国发展的七寸,但是美国万万没想到,美国七年间对华的封锁努力付之东流,反而使中国更加强大,美国国内智囊团也对此无比懊悔,想不到此举却激

2018年,川普带着世界所有发达国家和高端半导体企业贸然对中国芯片半导体发起浩浩荡荡的全方位制裁和围剿,似乎间,美国找到了遏制中国发展的七寸,但是美国万万没想到,美国七年间对华的封锁努力付之东流,反而使中国更加强大,美国国内智囊团也对此无比懊悔,想不到此举却激发了中国人智慧的被动buff!而中国企业经历这七年的奋发图强,不畏挑战,硬生生杀出一条血路,似乎再次唤醒民族血性,突破重重封锁,以一国之力挑战整个发达西方国家!屹立于高端科技制造产业的东方!在民族复兴面前的最重要的一环从此打通,直通超级科技大国行列!

下面我们来看看中国突破高端芯片研发制造后,有哪些将形成完整的半导体产业链闭环,各环节均有代表性企业参与。以下是产业链关键环节及核心企业的技术突破方向与产品布局分析:

一、芯片设计领域

1. 华为海思

- 麒麟系列:7nm/5nm手机SoC芯片(对标高通骁龙、苹果A系列)

- 昇腾系列:AI训练芯片(Ascend 910)与推理芯片(Ascend 310)

- 鲲鹏系列:服务器级ARM架构处理器(支持云计算与大数据)

2. 光展锐

- 唐古拉系列:6nm 5G基带芯片(T770/T760)

- 春藤系列:物联网通信芯片(Cat.1/Cat.4)

3. 阿里平头哥

- 倚天710:5nm服务器CPU(128核ARM架构)

- 玄铁系列:RISC-V架构IP核(C910/C906)

二、半导体制造设备

1. 上海微电子(SMEE)

- 28nm DUV光刻机(SSA800系列)

- 规划中的7nm EUV光刻机原型机

2. 中微半导体(AMEC)

- 5nm刻蚀机(Primo Twin-Star)

- 3D NAND专用高深宽比刻蚀设备

3. 北方华创(NAURA)

- 14nm PVD/CVD薄膜沉积设备

- 12英寸单片退火炉(NA-FP300)

三、晶圆代工制造

1. 中芯国际(SMIC)

- FinFET工艺:14nm/7nm逻辑芯片

- 特色工艺:55nm BCD功率器件平台

2. 华虹半导体(Hua Hong)

- 嵌入式闪存平台:90nm/55nm eFlash

- 射频SOI工艺:45nm RF-SOI

四、存储芯片

1. 长江存储(YMTC)

- Xtacking 3.0架构:128层3D NAND闪存

- PCIe 4.0 SSD主控芯片(致态系列)

2. 长鑫存储(CXMT)

- 19nm DDR4/LPDDR4X DRAM芯片

- 17nm DDR5研发中产品

五、封装测试

1. 长电科技(JCET)

- 3D封装:XDFOI™ Chiplet异构集成

- 系统级封装(SiP)技术

2. 通富微电(TFME)

- 7nm FCBGA封装技术

- 车载芯片可靠性测试平台

六、半导体材料

1. 沪硅产业(NSIG)

- 300mm大硅片(28nm节点)

- SOI晶圆(射频器件用)

2. 南大光电(NDGD)

- ArF光刻胶(28nm制程认证)

- MO源材料(高纯度金属有机化合物)

七、功率半导体

1. 斯达半导体(STARPOWER)

- 车规级IGBT模块(对标英飞凌HybridPACK)

- SiC MOSFET芯片(1200V/1700V)

2. 士兰微(Silan)

- IPM智能功率模块(白电用)

- 高压BCD工艺平台

八、模拟芯片

1. 圣邦股份(SGMICRO)

- 高精度ADC/DAC(24位分辨率)

- 车规级电源管理芯片

2. 思瑞浦(3PEAK)

- 高速运算放大器(GBW>1GHz)

- 隔离式栅极驱动器

九、射频前端

1. 卓胜微(Maxscend)

- 5G NR Sub-6GHz L-PAMiD模组

- WiFi 6E FEM前端模组

2. 唯捷创芯(Vanchip)

- 4G/5G PA功率放大器

- 毫米波AiP天线封装技术

十、传感器

1. 歌尔股份(Goertek)

- MEMS麦克风(信噪比>70dB)

- 惯性导航模组(6轴IMU)

2. 瑞声科技(AAC)

- 光学防抖马达(OIS)

- 压电触控反馈模组

十一、第三代半导体

1. 三安光电(Sanan)

- 6英寸SiC外延片(车规级认证)

- 氮化镓射频器件(5G基站用)

2. 天岳先进(SiCC)

- 半绝缘型SiC衬底(4英寸/6英寸)

- 低缺陷导电型衬底

十二、EDA工具

1. 华大九天(Empyrean)

- 模拟全流程EDA(Aether平台)

- 平板显示设计系统(FPD)

2. 概伦电子(Primarius)

- 器件建模工具BSIMProPlus

- 电路仿真器NanoSpice

产业链协同效应

1. 垂直整合模式:华为等系统厂商通过自研芯片+代工合作,形成需求牵引的研发体系

2. 产业集群效应:长三角(上海-无锡-南京)、珠三角(深圳-广州)、成渝地区形成区域协同

3. 研发投入强度:头部企业研发占比普遍超过15%,中芯国际2022年研发支出达9.4亿美元

技术突破方向

1. 先进制程:中芯国际N+2工艺(等效7nm)量产良率提升

2. 异构集成:芯原股份Chiplet互连标准推进

3. 量子芯片:本源量子24比特超导量子芯片研发

当前制约因素包括EUV光刻机获取、材料纯度控制(如电子级氟化氢)、IP核积累不足等。但随着国家大基金三期(3000亿规模)的投入,以及科创板的融资支持,预计到2025年可实现14nm全链条国产化,7nm工艺关键设备自主化率超50%。这种突破将重塑全球半导体格局,使中国在消费电子、5G通信、智能汽车、工业控制等领域形成完整的技术话语权体系。也为国家在民用科技,航空航天,高端科技研发,国防等领域助力腾飞!

欢迎大家一起讨论我们还有哪些需要追赶的科技领域

来源:VOXFLOR

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