摘要：国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“三维存储器器件及其制造方法”的专利，公开号CN 119364768 A，申请日期为2020年7月。

金融界2025年1月29日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“三维存储器器件及其制造方法”的专利，公开号CN 119364768 A，申请日期为2020年7月。

专利摘要显示，提供了三维(3D)NAND存储器器件和方法。在一个方面中，3D NAND存储器器件包括衬底、层堆叠体、存储器单元、半导体层、接触结构和栅线缝隙结构。衬底包括掺杂区。层堆叠体形成在衬底之上。存储器单元穿过层堆叠体形成在衬底之上。半导体层形成在掺杂区和延伸穿过层堆叠体的沟道层的侧面部分上。接触结构电接触掺杂区。在栅线缝隙结构中填充电介质材料。在栅线缝隙结构中通过电介质材料形成气隙。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6471073.69万人民币，实缴资本6471073.69万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1391次，知识产权方面有商标信息947条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1003个。

来源：金融界