长鑫科技申请高带宽存储器 HBM 刷新专利,解决 DRAM 存储阵列数据失效风险问题

B站影视 2025-01-28 18:20 1

摘要:金融界 2025 年 1 月 28 日消息,国家知识产权局信息显示,长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“一种高带宽存储器 HBM 的刷新方法、装置及设备”的专利,公开号 CN 119360916 A,申请日期为 2023 年 7 月。

金融界 2025 年 1 月 28 日消息,国家知识产权局信息显示,长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“一种高带宽存储器 HBM 的刷新方法、装置及设备”的专利,公开号 CN 119360916 A,申请日期为 2023 年 7 月。

专利摘要显示,本申请公开了一种高带宽存储器 HBM 的刷新方法、装置及设备,该方法包括:根据预先对不同存储芯片的存储区域划分,分别统计各存储区域出现不能正确识别存储数据的出错次数;根据不同存储区域分别对应的出错次数,确定各存储区域对应数据丢失的危险等级;根据各存储区域的危险等级确定该存储区域的刷新频率,并在到达对应的刷新时间时,仅对该存储区域进行刷新。以此解决现有的 ECC 纠错机制导致的 DRAM 存储阵列仍然存在较大的数据失效风险,增加 self‑refresh 频率,会提高 Dram 功耗的问题。

天眼查资料显示,长鑫科技集团股份有限公司,成立于2016年,位于合肥市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5777094.224万人民币,实缴资本5363300万人民币。通过天眼查大数据分析,长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了17家企业,参与招投标项目1088次,知识产权方面有商标信息207条,专利信息227条,此外企业还拥有行政许可28个。

来源:金融界

相关推荐