摘要：1月22日，宏微科技与华虹宏力签署为期五年的《战略合作谅解备忘录》，明确在IGBT与FRD等核心产品方面继续深入合作。未来，双方将致力于技术创新和平台优化，通过加强研发、优化工艺，在技术开发和市场拓展方面协同推进，共同推动市场竞争力提升，助力国内功率半导体产业

1月22日，宏微科技与华虹宏力签署为期五年的《战略合作谅解备忘录》，明确在IGBT与FRD等核心产品方面继续深入合作。未来，双方将致力于技术创新和平台优化，通过加强研发、优化工艺，在技术开发和市场拓展方面协同推进，共同推动市场竞争力提升，助力国内功率半导体产业链的完善。

在上海华虹宏力半导体制造有限公司（以下简称“华虹宏力”）于近期举办的2024华虹半导体客户代表座谈会暨12英寸平台年度100万片出货庆祝活动上，宏微科技受邀参加，并荣获“2024年度杰出贡献奖”。

据悉，多年来，宏微科技专注功率芯片的研发与产业化，以Fabless（无晶圆芯片设计公司）经营模式率先在国内实现IGBT芯片产业化，在工业控制、新能源发电、新能源汽车等领域积累了深厚经验。作为华虹宏力1700V平台及RC IGBT平台的首批客户，宏微科技率先引入H注入工艺并成功实现量产，成为首家在12英寸晶圆上采用1.6pitch工艺的功率芯片设计销售厂商。

通过与华虹宏力的深度战略合作，宏微科技逐步实践了虚拟IDM（集成设备制造）模式，完美诠释了H² IDM（H即双方名称首字母，意为强强联合）理念。在不断增强双方市场竞争力的同时，催化出“1+1＞2”的共赢效应。

此外，为加速功率器件技术迭代，宏微科技与华虹宏力联合成立研发项目组，专注于新工艺平台的开发与优化。通过双方协作，宏微科技的芯片、单管与模块产品在工业控制、新能源等领域获得广泛认可，进一步强化了市场地位。

来源：芯榜