摘要：深圳新凯来技术有限公司作为中国半导体设备领域的"新锐国家队"，在2025年SEMICON China展会上首次高调亮相，推出覆盖半导体制造全流程的31款设备，其中包含28nm浸润式DUV光刻机和5nm DUA光刻技术等突破性产品。新凯来的设备虽不能完全解决高端

深圳新凯来技术有限公司作为中国半导体设备领域的"新锐国家队"，在2025年SEMICON China展会上首次高调亮相，推出覆盖半导体制造全流程的31款设备，其中包含28nm浸润式DUV光刻机和5nm DUA光刻技术等突破性产品。新凯来的设备虽不能完全解决高端光刻机"卡脖子"问题，但通过成熟制程替代、先进工艺协同和全产业链生态构建，在缓解半导体设备供应链压力方面展现出重要战略价值。其28nm DUV光刻机已实现量产并进入中芯国际等头部企业验证，价格仅为ASML同类设备的1/30，推动国内芯片制造成本大幅降低；5nm配套设备如刻蚀和ALD在工艺验证中表现接近国际水平，通过非光学技术（如多重曝光和选择性沉积）为国产技术争取迭代时间。新凯来通过国资背景、华为技术基因和产学研合作，构建了"基础材料-零部件-装备"的闭环生态，为中国半导体设备产业从"跟随者"向"挑战者"的角色转变提供了重要支撑。

一、新凯莱高科技产品全景

新凯莱于2025年3月在上海SEMICON China展会上首次亮相，一次性发布了覆盖半导体制造全流程的6大类31款设备，均以中国名山命名，寓意技术攀登与产业高度。这些设备包括外延沉积（峨眉山系列）、原子层沉积（阿里山系列）、物理气相沉积（普陀山系列）、刻蚀（武夷山系列）、薄膜沉积（CVD长白山系列）和量检测设备（包括光学检测岳麓山系列、X射线量测赤壁山系列、功率检测RATE系列等）。产品线覆盖了芯片制造的多个核心环节，形成了完整的半导体制造装备体系。

在光刻机领域，新凯来最引人注目的产品是28nm浸润式DUV光刻系统和5nm DUA光刻技术。前者采用193nm ArF光源，结合混合式多重曝光技术，支持28nm及以上的工艺节点，通过多重曝光理论上可延伸至7nm制程。后者则通过自对准四重成像技术、非光学光刻解决方案和AI调优系统，试图绕过EUV光源的限制，实现5nm级别的芯片制造。这些产品填补了国内在高端光刻机领域的空白，标志着中国在半导体设备"卡脖子"技术上取得了实质性进展。

在核心工艺设备方面，新凯来的武夷山系列刻蚀设备支持5nm级线条控制，采用全对称腔室设计和高流导架构；阿里山系列ALD设备可实现单原子层厚度控制（±0.3Å），台阶覆盖率>95%，远超东京电子的90-93%；长白山系列CVD设备填孔缺陷率较国际竞品降低30%，兼容28nm至5nm多种制程。这些设备在国产化率上达到100%，核心零部件如真空腔体、射频源和物镜组均由新凯来自主研发或与国内企业合作生产，打破了国际巨头的垄断。

在量检测领域，新凯来的岳麓山系列明场缺陷检测设备精度达纳米级，良率控制能力超越KLA；赤壁山系列X射线量测设备精度达5nm以下，打破应用材料等国际巨头的垄断；沂蒙山系列和赤壁山系列的PX量测产品（包括AFM、XPS、XRD等）填补了国内高端检测设备的空白。这些设备的推出，为中国半导体制造提供了全流程的国产化解决方案。

二、光刻机产品线与技术突破

新凯来的光刻机产品线是其最受关注的领域，也是解决"卡脖子"问题的关键。其28nm浸润式DUV光刻机已实现量产，而5nm DUA光刻技术尚处于实验室验证阶段，两者在技术路径和市场定位上存在明显差异。

28nm DUV光刻机采用了193nm ArF光源，结合浸没式技术（数值孔径0.75），套刻精度达到2纳米，良率高达94%。虽然在光源功率（70mW）和镜头精度上仍落后于ASML的高端设备（250mW光源功率和0.93数值孔径），但其价格仅为ASML同类设备的1/30（约2.5亿人民币），具有显著的性价比优势。该设备已进入中芯国际等头部企业验证，2024年订单量超5亿元，2025年上半年累计获得订单超12亿元，客户覆盖国内前五大晶圆厂。

在技术突破方面，新凯来与中科院合作开发全固态深紫外激光器，通过两条光路交汇生成精准光束，体积比传统设备缩小40%，能耗骤降70%，彻底摆脱了对稀有气体的依赖。同时，与奥普光电合资的长光集智在物镜系统误差控制方面取得突破，达到了原子级别精度，进一步提升了光刻机的性能。这些技术突破不仅降低了制造成本，还增强了设备的自主可控性，为中国半导体产业提供了"备胎方案"。

然而，5nm DUA光刻技术与28nm DUV光刻机相比，技术难度和成熟度存在显著差距。该技术依赖于自对准四重成像（SAQP）和选择性沉积等非光学技术，通过软件补偿硬件不足，理论上可实现5nm芯片制造。但目前实验室光源功率仅为20mW，远低于量产所需的250mW，且镜头精度（1.35 NA）和工艺稳定性仍需长期验证。新凯来计划2026年开始验证5nm设备，但根据行业经验，EUV光刻机研发通常需要10年以上时间，因此其5nm技术距离大规模商用仍有较长距离。

三、核心工艺设备的技术参数与国际竞品对比

除光刻机外，新凯来的核心工艺设备在技术参数上已接近甚至部分超越国际竞品，形成了对ASML、应用材料和东京电子等国际巨头的有力挑战。

刻蚀设备（武夷山系列）方面，新凯来产品支持12英寸晶圆刻蚀，覆盖CCP、ICP、自由基刻蚀等场景，适配逻辑、存储及第三代半导体工艺。其5nm级线条控制精度与中微公司的CCP/ICP刻蚀机相当，后者已进入台积电5nm产线。武夷山系列设备采用全对称架构设计和高流导架构设计，整机可配置多个工艺腔，实现高效、精准的刻蚀工艺。据媒体报道，新凯来的刻蚀设备搭载AI控制系统，每秒采集5000组等离子体数据，动态调节磁场强度与气体流量，将良率从35%拉升至68%，工艺窗口拓宽15%。相比之下，应用材料和Lam Research的5nm刻蚀机在选择比和深宽比控制上仍具优势，但新凯来通过全对称架构缩小了差距。

薄膜沉积设备方面，新凯来的阿里山系列ALD设备支持5nm及更先进制程，单原子层厚度控制精度达±0.3Å，台阶覆盖率>95%，超越东京电子的90-93%。普陀山系列PVD设备适用于逻辑、存储及先进封装等主流半导体金属平面膜应用场景，采用全靶腐蚀算法和创新磁控溅射技术，显著提升靶材利用率和镀膜质量。长白山系列CVD设备填孔缺陷率较国际竞品降低30%，但PVD领域仍依赖应用材料（85%市场份额）。在核心零部件方面，新凯来实现了100%自主设计制造，但部分传感器和射频源可能仍依赖进口。

量检测设备方面，新凯来的岳麓山系列明场缺陷检测设备采用先进的光学检测技术和算法，可实现对晶圆表面和掩模缺陷的高精度检测，缺陷识别误报率从5%降至1.5%。赤壁山系列X射线量测设备精度达5nm以下，打破了应用材料在高端量测设备领域的垄断。沂蒙山系列和赤壁山系列的PX量测产品（包括AFM、XPS、XRD等）填补了国内高端检测设备的空白，部分指标甚至超过了KLA的同类产品。

下表对比了新凯来核心设备与国际竞品的技术参数：

四、对"卡脖子"问题的缓解作用

新凯来设备的推出对中国半导体产业"卡脖子"问题的缓解主要体现在三个方面：成熟制程替代、先进制程协同和技术路径创新。

在成熟制程替代方面，新凯来的28nm DUV光刻机已实现量产，价格仅为ASML同类设备的1/30，大幅降低了国内芯片制造成本。该设备主要应用于28nm及以上的成熟工艺，覆盖了全球76%的芯片需求，包括物联网设备、新能源汽车和工业控制器等领域。据波士顿咨询2025年5月报告显示，中国在成熟制程领域每投入1美元，就能撬动8.2美元的周边产业增值，这种"滚雪球效应"正在重塑全球半导体产业格局。中芯国际、华虹半导体等企业已批量采购新凯来的刻蚀和光学检测设备，推动国产设备在28nm产线的渗透率提升。

在先进制程协同方面，新凯来的5nm配套设备（如刻蚀和ALD）在工艺验证中表现接近国际水平，通过全链条国产化（如与新莱应材、奥普光电合作）降低供应链风险。阿里山ALD设备已通过中芯国际的全节点验证，7nm工艺良率突破95%，为5nm制程提供了关键支持。武夷山刻蚀设备在5nm产线中验证良好，但渗透率不足5%，验证周期长达12-18个月。这些设备虽不能完全替代ASML的高端光刻机，但通过与光刻机的协同，形成了国产替代的完整闭环。

在技术路径创新方面，新凯来通过非光学技术（如选择性沉积、多重曝光）和AI算法优化，为国产技术争取了迭代时间。其固态光源技术、自对准四重成像（SAQP）和AI仿真系统等创新，为突破EUV光刻机的技术壁垒提供了新思路。例如，新凯来通过DUV光刻机结合多重曝光技术，实现了5nm芯片的理论制造，良率虽比ASML设备低15%，但综合成本反而便宜40%。这种"曲线救国"的策略，使中国在高端芯片制造领域有了更多可能性。

五、供应链国产化与生态构建

新凯来的设备国产化程度高，核心零部件如真空泵、射频电源、物镜组等均实现100%自主设计制造，但关键材料和部分高端部件仍存在短板。通过与国内上下游企业的深度合作，新凯来构建了覆盖材料、设备、制造的完整生态链，形成了"研用一体"的创新模式。

在供应链方面，新凯来与238家本土供应商建立了合作关系，核心零部件全部实现国产替代。例如，与新莱应材合作供应超高纯气体管路系统与真空腔体，与奥普光电合资研发光刻机物镜组，与至纯科技合作提供湿法清洗设备等。这种"国家队"背景下的产业链协同，使中国半导体产业链从"被动跟随"转向"自主可控"。

在材料领域，新凯来与南大光电合作开发ArF光刻胶，良率从50%提升到85%，成本降低30%；与凯美特气合作提供高纯度光刻气体，纯度达99.999999%，每公斤成本比进口低30%，且通过了ASML子公司Cymer的认证，成为国内唯一供应商。这些合作不仅提升了材料的国产化率，还增强了整个产业链的自主可控能力。

在技术协同方面，新凯来与华为联合研发自对准四重成像技术，优化光刻机算法和硬件适配，推动国产光刻机与芯片设计的协同创新。这种"设计-制造-设备"的闭环生态，使中国半导体产业能够摆脱对西方技术的依赖，形成独立的技术标准和产业链。

然而，新凯来设备在供应链上仍存在明显短板。例如，光刻胶国产化率不足10%，其设备中使用的高纯度硅片、特种气体等仍需从日本信越、美国空气化工等企业采购。这些关键材料和技术的依赖，仍是制约中国半导体产业全面自主可控的重要瓶颈。

六、市场表现与客户反馈

新凯来设备的市场表现和客户反馈是评估其实际应用效果的重要指标。从现有数据看，新凯来在成熟制程设备领域已取得实质性进展，但在先进制程领域仍需进一步验证和市场认可。

在光刻机市场方面，新凯来28nm DUV光刻机已进入中芯国际、华虹等产线验证，2024年订单超5亿元，2025年上半年累计获得订单超12亿元。中芯国际已批量采购其刻蚀和光学检测设备，28nm产线中，新凯来设备与上海微电子设备共同支撑产能扩张。据媒体报道，新凯来的28nm光刻机在中芯国际产线的良率达94%，超过国际90%的商用标准，双工件台定位精度1.7纳米（相当于头发丝的5万分之一），套刻精度2纳米，基本追平ASML十年前的水平。

在刻蚀设备市场方面，新凯来的武夷山系列在中芯国际28nm产线中的良率达85%，5nm工艺验证中表现良好，但未明确与Lam Research的应用材料直接对比。值得注意的是，中微公司的CCP/ICP刻蚀设备市场份额已达20%，新凯来的加入使国内刻蚀设备市场形成"三足鼎立"格局，加速了国产替代进程。

在薄膜沉积设备市场方面，新凯来的ALD设备在5nm产线中用于刻蚀阻挡层，但渗透率不足5%。其CVD设备填孔缺陷率较国际竞品低30%，但PVD领域仍依赖应用材料（85%市场份额）。在量检测设备市场，新凯来的光学检测设备缺陷识别率提升至98%，部分指标超KLA，但高端X射线量测设备仍需依赖应用材料等国际巨头。

客户反馈方面，新凯来设备的性价比优势明显，但工艺稳定性和长期可靠性仍需验证。例如，其28nm光刻机虽然价格低廉，但光源功率（70mW）和数值孔径（0.75）低于ASML最新设备（250mW、0.93），在复杂制程中的表现可能受限。此外，新凯来采用"2C式营销"策略（大规模展会和社交媒体推广），与传统半导体设备企业的"2B式营销"（精准的客户拜访和产线验证）形成鲜明对比，这种营销模式是否能获得半导体大厂的认可，仍需时间检验。

七、政策支持与未来发展前景

新凯来的崛起离不开国家政策的强力支持和产业链协同发展的战略推动。随着大基金三期注资3440亿元，以及深圳、上海等地专项基金的投入，新凯来有望在5-8年内缩小与国际巨头的技术差距，成为中国半导体设备产业的重要支柱。

在政策支持方面，新凯来作为深圳国资委全资控股的"国家队"企业，获得了资金、资源与产业链资源的全面支持。大基金三期重点支持半导体设备的研发与产能扩张，通过税收优惠、人才引进等政策降低企业研发成本。例如，上海微电子在光刻机领域攻关、中微公司在刻蚀设备领域的突破，均依托政策对"卡脖子"技术的定向扶持。地方政府如上海、北京等地通过专项基金支持设备企业，形成"中央-地方"联动的政策网络，加速国产设备在成熟制程的覆盖与先进制程的突破。

在技术发展路径方面，新凯来采取"成熟制程替代+新兴领域突破"的双轨策略。一方面，通过28nm DUV光刻机等设备抢占成熟制程市场，降低对ASML的依赖；另一方面，通过非光学技术（如SAQP多重曝光）和AI算法优化，为5nm以下先进制程提供替代方案。这种策略既规避了ASML的专利壁垒，又为国产技术争取了迭代时间。新凯来已完成B轮融资25亿元，投后估值超200亿元，腾讯、红杉中国等机构领投，资金将用于EUV技术研发及海外市场拓展。

在产业链协同方面，新凯来已与华为、中科院、清华大学等机构建立合作关系，形成"研用一体"的创新模式。例如，与华为联合申请自对准四重成像技术专利，与中科院合作开发全固态光源技术，与清华大学共建联合实验室攻克极紫外光源技术等。这种产学研合作模式，使中国半导体产业链能够快速突破技术壁垒，形成自主可控的产业生态。

未来，新凯来计划2026年开始验证5nm设备，2030年前实现光刻胶、特种气体等关键材料的国产替代。如果能够持续技术创新和生态构建，新凯来有望在2030年进入全球半导体设备厂商前十，与国际龙头形成差异化竞争。其非光学技术路径和AI算法优化，可能为中国半导体产业开辟新的技术路线，打破ASML在高端光刻机领域的垄断。

八、结论与建议

新凯来的高科技产品为中国半导体产业提供了重要支持，但其对"卡脖子"问题的解决仍需辩证看待。在成熟制程领域，新凯来已实现设备国产化替代，降低了制造成本，缓解了供应链压力；但在先进制程领域，尤其是5nm以下光刻机方面，仍面临技术代差和专利壁垒的挑战，短期内难以完全替代ASML的高端设备。

对国内半导体产业而言，新凯来的崛起标志着中国半导体设备从"单点突破"转向"系统化布局"。通过全链条研发体系和端到端服务，新凯来能够为客户提供定制化的解决方案和全方位的技术支持。其高国产率与自主可控的设备，不仅降低了设备成本，提高了设备性价比，还增强了设备的自主可控能力和信息安全保障能力。

然而，新凯来也面临诸多挑战。首先是技术验证周期长，其5nm配套设备在头部晶圆厂的渗透率不足5%，验证周期长达12-18个月。其次是国际竞争压力大，ASML等国际巨头仍在加速技术迭代，如ASML计划于2025年推出XT:260光刻系统，能显著提升性能并降低晶圆成本。第三是供应链短板明显，光刻胶、特种气体等关键材料国产化率不足10%，仍需依赖进口。

未来，中国半导体产业应充分发挥新凯来等国产设备企业的创新活力，同时加强产业链协同和国际合作。建议从以下几个方面着手：

总之，新凯来的高科技产品是中国半导体设备产业的重要突破，但要真正解决"卡脖子"问题，仍需产业链上下游企业的共同努力和长期投入。通过技术创新、生态构建和政策支持，中国半导体产业有望在5-10年内实现从"跟随者"向"挑战者"甚至"引领者"的角色转变，为全球半导体产业格局带来深刻变革！

来源：科技大肚腩