摘要：这些晶体专为需要抗辐射的应用而设计，SWCX4V 采用音叉式，而 SWCX4 则使用 AT 切割方式。两者均为使用高温电扫工艺的培养石英制作，与非电扫石英相比，这些晶体在受到辐射时可以更好地保持频率和其他电气特性，尤其是辐射剂量超过 100 krad(1 kG
这些晶体专为需要抗辐射的应用而设计，SWCX4V 采用音叉式，而 SWCX4 则使用 AT 切割方式。两者均为使用高温电扫工艺的培养石英制作，与非电扫石英相比，这些晶体在受到辐射时可以更好地保持频率和其他电气特性，尤其是辐射剂量超过 100 krad(1 kGy) 的情况下。该产品通常用于高可靠性的辐射硬化应用，Statek 公司为此提供三种筛选选项，以满足从工程设计到实际飞行任务的关键要求。
产品特点
抗辐射：耐受总辐射剂量超过 100 krad
高冲击电阻：采用三点安装方式
超高可靠性
客户定制设计
军用和航天级应用
低老化率
严格的无尘室生产工艺
美国设计、制造与测试
应用领域
军用与航天领域
卫星系统
太空探索任务
深空探测器
遥测设备
一般规格
Parameter
Values
Frequency
32.768 kHz for SWCX4V
14 MHz to 100 MHz for SWCX4
Calibration Toleranoe at 25°℃
450 pom zo±10 ppm
Load Capacitance,CL
9 pF for sWCX4V,or value specified
10 pF for sWCX4,or value specified
Standard Operating
Temperature Ranges
Commerdial:
ndustrial
MHitary
-10°℃
-40°℃
-55°℃
to+70*c
to+85*C
to+125°℃
Frequency-Temperature
Stabiity Options (SWCX4 only)
±50 ppm 2o±10 ppm,over -10℃ to +70*℃
±50 ppm 2o±20 ppm,over -40℃ to +85*℃
±50 ppm 2o±30 ppm,over -55°℃ to +125℃
Drvo Level (max)
0.5 μW for SWCX4V,orvalue specified
200 pW for SWCX4,or value specified
Aging.First Year
±3 ppm
Vibration,surviva
20 g,10 to 2,000 Hz,swept sine
Shock,surviva
5,000 g.0.3 ms,X sine,for sWCX4V
10.000 g,0.2 ms,X sine,for SWCX4 (higher shock available)
StorageTemperature Range
-55*C to+125°℃
Max Processing Temperature
260℃ for 20 seconds
Moisture Sensitivity Level (MSL)
These parts are hermetically sealed andare not moisture sensitive.
典型电气参数
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来源：立维创展ldteq
