摘要：2004年澜起科技成立，在上海漕河泾开发区的实验室里，创始团队以“填补国内高端存储芯片空白”为目标，锚定内存接口芯片赛道。2008年，DDR2高级内存缓冲器芯片（AMB）通过三星认证，首次进入国际供应链；2011年DDR3寄存缓冲器芯片（RCD）量产时，团队曾

一、专注内存接口芯片研发：从技术跟跑到标准制定

2004年澜起科技成立，在上海漕河泾开发区的实验室里，创始团队以“填补国内高端存储芯片空白”为目标，锚定内存接口芯片赛道。2008年，DDR2高级内存缓冲器芯片（AMB）通过三星认证，首次进入国际供应链；2011年DDR3寄存缓冲器芯片（RCD）量产时，团队曾连续72小时调试信号完整性，最终使芯片误码率低于10^-12，满足数据中心严苛要求。2013年DDR4寄存时钟驱动器芯片（RCD）研发成功，其“1+9”分布式缓冲架构将数据速率提升至2400MT/s，较上一代技术功耗降低30%，为后续技术突破埋下伏笔。

二、技术突破与国际标准话语权：从“中国设计”到“全球规则”

- DDR4时代的颠覆创新：2012年，澜起工程师在调试中发现传统集中式缓冲架构的信号衰减问题，通过创新性引入9个分布式缓冲单元，发明“1+9”全缓冲架构。该技术被JEDEC纳入DDR4国际标准时，评审专家评价：“这是首次由中国企业主导的内存接口核心技术突破。”截至2025年，该架构相关专利已超500项，覆盖全球90%的DDR4内存模组。

- DDR5技术引领：2020年，公司抢在三星、美光前推出支持6400MT/s的DDR5 RCD芯片，采用16nm FinFET工艺，单芯片可驱动10个内存颗粒，较DDR4提升10%算力密度。2022年发布的CXL内存扩展控制器芯片（MXC），在英特尔Alder Lake服务器平台测试中，实现CPU与GPU内存共享延迟低于50ns，被业内称为“异构计算存储架构的关键拼图”。

- 高速互连技术布局：2023年量产的PCIe 5.0 Retimer芯片，在Meta数据中心实测中，将2米长PCB走线的信号损耗从-28dB优化至-12dB，保障400Gbps数据传输稳定性。该芯片已集成到戴尔PowerEdge R760服务器，成为AI训练集群的标配组件。

三、市场突围与生态合作：从本土企业到全球供应链核心

2014年，澜起凭借DDR4芯片打入三星电子供应链，初期因韩国工程师质疑“中国芯片可靠性”，团队在首尔驻场三个月，用10万小时无故障运行数据打破偏见。2024年，公司DDR5内存接口芯片全球市占率达45%，其中第二代RCD芯片在亚马逊AWS服务器的渗透率超60%。更具突破性的是，PCIe Retimer芯片在AI服务器市场爆发，2024年出货量达1200万颗，带动相关业务收入从2023年的4700万元飙升至4.22亿元，环比增长800%。

四、挑战与破局：在竞争与变革中坚守技术壁垒

- 巨头自研冲击：2024年三星宣布投入2万亿韩元建设DDR5 RCD芯片产线，计划2025年实现40%自供。澜起迅速响应，将第三代DDR5 RCD芯片研发周期压缩至14个月，采用7nm工艺将功耗再降25%，并与SK海力士签订独家技术合作协议。

- 研发“军备竞赛”：2024年研发费用中，62%用于AI存储相关技术，包括PCIe 6.0 Retimer芯片的眼图补偿算法开发。团队在上海、成都设立双研发中心，高薪聘请台积电3nm工艺专家，确保2025年Q4推出的PCIe 7.0芯片能支持51.2GT/s速率，满足下一代GPU集群的互连需求。

五、存储领域全产业链布局：从单一芯片到解决方案提供商

- 内存模组生态构建：2023年推出的DDR5串行检测集线器（SPD）芯片，集成温度传感器与电源管理单元，单颗芯片可替代传统方案中的3颗分立器件，使三星DDR5模组生产成本降低18%。2024年配套推出的MRCD/MDB芯片，支持8800MT/s速率，在浪潮信息AI服务器中实现内存带宽提升3倍。

- CXL技术商业化突破：与英特尔联合开发的CXL 2.0内存池化方案，在字节跳动数据中心试点中，将存储资源利用率从35%提升至78%，每年节省机柜能耗成本超2000万元。该方案已写入《CXL 2.1技术白皮书》，成为行业推荐架构。

六、未来展望：AI时代下的存储技术革命

2025年1月，澜起发布的PCIe 6.x/CXL 3.x Retimer芯片，采用3D封装技术，在10mm×10mm芯片内集成28个高速SerDes通道，可同时处理8路PCIe 6.0信号。更具前瞻性的是，公司正在研发的PCIe 7.0 Retimer芯片，计划采用极紫外（EUV）工艺，目标将每比特传输功耗降至0.1pJ，以适配2026年问世的百PFlops级AI超级计算机。正如CEO杨崇和在2025年ISSCC峰会所言：“当存储带宽成为AI算力瓶颈时，澜起要做打破‘内存墙’的凿石者。”从跟跑到领跑，这家中国芯片企业正以技术定义未来存储架构的底层规则。

来源：A股概念通一点号