摘要：研究人员还证明，通过改变电场的扫描操作，可以在零电场下可靠地实现两种不同的磁状态。这意味着可以在零电场下有意实现非易失性二元状态。“通过精确控制多铁异质结构，可以满足实现实用磁电 (ME)-MRAM 设备的两个关键要求，即具有零电场的非易失性二元状态和巨大的
图2 .铁磁 Co2FeSi 层/原子层/压电层界面的原子图像。左侧的结构使用 Fe 原子层，而右侧显示的 V 层清晰可见，促进了上方铁磁Co2FeSi层的晶体取向。研究人员还证明，通过改变电场的扫描操作，可以在零电场下可靠地实现两种不同的磁状态。这意味着可以在零电场下有意实现非易失性二元状态。“通过精确控制多铁异质结构，可以满足实现实用磁电 (ME)-MRAM 设备的两个关键要求，即具有零电场的非易失性二元状态和巨大的 CME 效应，”资深作者 Kohei Hamaya 说道。这项自旋电子器件研究最终可在实用的 MRAM 器件上实现，使制造商能够开发 ME-MRAM，这是一种低功耗写入技术，适用于需要持久和安全内存的广泛应用。值得注意的是，当前的新型存储市场主要集中于低延迟存储与持久内存，还不具备替代DRAM/NAND闪存的能力，但在数据爆发式增长的时代下，新型存储凭借所具备的超强性能、超长寿命、可靠性及耐高温等优秀的特性，将有望成为存储器领域的新选择。目前，从市场份额上看，传统存储器仍占据着绝大部分市场，但随着5G时代到来，带动物联网、人工智能、智慧城市等应用市场发展并向存储器提出多样化需求，加上传统存储器市场价格变化等因素，新型存储器将在市场发挥越来越重要的作用。*声明：本文系原作者创作。文章内容系其个人观点，我方转载仅为分享与讨论，不代表我方赞成或认同，如有异议，请联系后台。 来源：晗蒙讲科技
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