Visual NAND Reconstructor 9.0，新增 pSLC 闪存块数据恢复方案

摘要：天津鸿萌科贸发展有限公司从事数据安全服务二十余年，致力于为各领域客户提供专业的数据恢复、数据备份解决方案与服务，并针对企业面临的数据安全风险，提供专业的相关数据安全培训。

天津鸿萌科贸发展有限公司从事数据安全服务二十余年，致力于为各领域客户提供专业的数据恢复、数据备份解决方案与服务，并针对企业面临的数据安全风险，提供专业的相关数据安全培训。

天津鸿萌科贸发展有限公司是专业 NAND 闪存数据恢复工具 VNR (Visual NAND Reconstructor) 的授权代理商。

pSLC（Pseudo-Single Level Cell）即伪SLC，是将多层单元（MLC）或三层单元（TLC）闪存的一部分，通过固件管理，模拟成单层单元（SLC）闪存来使用的区域。它并非闪存芯片本身的物理差异，而是通过软件控制实现的。

简单来说，就是把一部分 MLC 或 TLC 闪存暂时当作 SLC 闪存来用，从而提升速度和寿命。

单个单元中，MLC 可以存储 2bit 数据，当进入 pSLC 模式后，仅保存 1bit 数据。使 MLC 拥有 SLC 的性能，同时具有 MLC 的性价比。MLC 常用制程为 15nm，擦写次数约为 3000 次，改为 pSLC 模式后约为 2 万次。pSLC具有以下优点：与相同容量下的 SLC 相比，成本更低，体积更小；比 MLC 更高的P/E次数。写入速度和读取速度比标准 MLC/TLC 快。

pSLC SD Nand 在文件传输时无论是大文件还是小文件，读写速度都可以保持在一个稳定的状态，同时在反复擦写、异常掉电等特殊场景都具有良好表现，且芯片温宽达到-25℃到85℃，同时兼具 SLC 的优点和 MLC 的性价比，是工业存储设备不二选择。

pSLC的缺点：容量限制: 只有部分闪存以pSLC模式运行，因此总容量会降低。性能波动: 寿命与性能略低于SLC；当pSLC缓存用完后，性能会下降到MLC/TLC的水平。复杂性: pSLC的管理需要更复杂的固件。

pSLC 闪存的数据恢复难点与标准 MLC/TLC 类似，但由于其独特的运作方式，会增加一些额外的挑战：

缓存管理: pSLC缓存的管理策略会影响数据恢复的难度。如果数据恰好位于缓存中，且缓存被覆盖，则数据恢复会变得非常困难。数据映射: pSLC的地址映射比标准MLC/TLC更复杂，这会增加数据恢复的难度。磨损均衡: pSLC闪存的磨损均衡算法会影响数据分布，这需要数据恢复工具有更深入的理解。

总的来说，pSLC闪存是一种性能与成本之间折衷的技术。虽然它提供了比MLC/TLC更快的速度和更长的使用寿命，但也存在容量限制和数据恢复方面的挑战。需要更专业的工具和技术才能有效地从 pSLC 闪存中恢复数据。

Visual NAND Reconstructor 9.0, 弥补 pSLC 块的数据恢复技术空白

VNR 工具中新的 SLC 功能显著增强了逻辑镜像重建（尤其是对于 Sandisk 控制器），如果没有 SLC 重新读取选项，许多复杂情况将需要文件雕刻或整合技术，而不是依赖文件系统结构。

VNR 新版本 9.0 引入了对 pSLC 块重读的全面支持，通过彻底重读包含文件系统和缓存数据的 SLC 块，显著提高了文件系统整合的准确性。

此外，新版本还重新构建了转储和块的处理方式，从而提高了性能和效率。该软件现在会自动将完整转储分离为数据和 SLC 块，从而简化流程。pSLC 块被转换为普通块，同时保留其类型以供进一步的 XOR 和其他操作。

请注意，目前，用户需要手动将协议切换到 SLC 模式，以便重新读取内存芯片。此手动步骤对于充分利用增强的 SLC 重新读取功能是十分必需的。