摘要：随着半导体巨头英特尔和台积电引进 ASML 的高 NA EUV 机器，韩国主要芯片公司如何应对极紫外 (EUV) 光刻技术也备受关注。有趣的是，据 Business Korea报道，三星和 SK 海力士在 EUV 上采取了不同的策略。

随着半导体巨头英特尔和台积电引进 ASML 的高 NA EUV 机器，韩国主要芯片公司如何应对极紫外 (EUV) 光刻技术也备受关注。有趣的是，据 Business Korea报道，三星和 SK 海力士在 EUV 上采取了不同的策略。

三星：重点关注 EUV 以提高先进半导体的产量

据报道，尽管三星在 3nm 产量方面一直举步维艰，但为了与长期竞争对手台积电竞争，该公司正在加大 2nm 和 1.4nm 的研发力度。据《韩国商业》报道，该公司在将开发先进节点作为首要任务的同时，还在其全球制造和基础设施部门下成立了一个新的“EUV 协同工作组”，作为其年底重组的一部分。

报道称，该团队旨在通过改进 EUV 设备管理来提高 3nm 等超精细半导体的良率。据报道，该团队将专注于优化光刻和跟踪设备的生产率，包括 ASML 价值 200 亿美元的 EUV 机器和东京电子的跟踪设备。

据《韩国商业》报道，三星已为其华城和平泽工厂购买了 30 多台 EUV 机器，并计划克服提高其 10 纳米级第六代 DRAM 和 3 纳米以下代工厂的成品率方面的挑战。

不过，不排除三星可能减少对 ASML 下一代 EUV 设备的采购。Business Korea 此前报道称，三星最初计划在未来十年内购买三台以上的下一代设备，即 EXE:5200、EXE:5400 和 EXE:5600。但现在它决定只引入 EXE:5200。

SK 海力士解散 EUV 专项小组

值得注意的是，三星的 HBM 竞争对手 SK 海力士选择了不同的策略。《韩国商业》报道指出，该公司在今年的重组中解散了其 EUV 工作组，并将其与未来技术研究所合并。

报告指出，这一转变凸显了该公司重视长期技术创新，而非短期产量提升。《Business Korea》报告指出，值得注意的是，SK海力士可能要等到2025年下半年才会收到第一台高NA EUV机器。

报道称，自 2021 年为其 10 纳米级第四代 DRAM 采用 EUV 技术以来，SK 海力士已在其位于利川的 M16 工厂部署了 10 多台 EUV 机器。

看看其他半导体巨头的进展，据称台积电已于2024年9月从ASML获得其第一台High-NA EUV机器。另一方面，英特尔已于10月在其波特兰工厂成功完成了两台High-NA EUV系统的安装。

来源：miniappb85ec71100314