摘要：SK海力士的321层NAND闪存采用了“3-Plug”工艺技术，克服了堆叠局限。该技术分三次进行通孔工艺流程，随后经过优化的后续工艺将3个通孔进行电气连接。在其过程中开发出了低变形材料，引进了通孔间自动排列（Alignment）矫正技术。SK海力士还使用与其前

SK海力士宣布开始量产世界上首款321层堆叠1Tb TLC 4D NAND闪存，计划从2025年上半年开始向客户发货。

SK海力士的321层NAND闪存采用了“3-Plug”工艺技术，克服了堆叠局限。该技术分三次进行通孔工艺流程，随后经过优化的后续工艺将3个通孔进行电气连接。在其过程中开发出了低变形材料，引进了通孔间自动排列（Alignment）矫正技术。SK海力士还使用与其前一代238层闪存相同的开发平台来开发321层NAND，由此最大限度地减少了工艺变化，与上一代相比，其生产提升了59%。

321层产品与上一代相比，数据传输速度和读取性能分别提高了12%、13%，并且数据读取能效也提高10%以上。

以下是当前各公司NAND闪存层数的对比表格：

321层NAND闪存目前是行业内层数最高的闪存。三星最接近，拥有280层NAND闪存，但它正在积极研发300层甚至400层闪存以与SK海力士竞争。美光、长江存储和铠侠目前相对落后，分别拥有232层和218层架构。

三星的下一代300层NAND闪存将与SK海力士的生产方式不同。它将使用“双堆叠”技术，这涉及到在一个300毫米晶圆上放置一个3D NAND堆叠，并在第一个堆叠之上构建另一个闪存堆叠。SK海力士的解决方案涉及使用三层，据称更高效。

来源：CHIP奇谱