摘要：SK海力士于11月宣布1月21日，全球最高321层1Tb三级单元(TLC)4DNAND闪存开始量产。这一里程碑使SK海力士成为NAND闪存行业第一家开始量产超过300层产品的公司，标志着重大的技术进步。

SK海力士于11月宣布1月21日，全球最高321层1Tb三级单元(TLC)4DNAND闪存开始量产。这一里程碑使SK海力士成为NAND闪存行业第一家开始量产超过300层产品的公司，标志着重大的技术进步。

这一成就的历程始于去年6月，当时SK海力士开始量产上一代最高的238层NAND。该公司随后在同年8月的美国闪存峰会(FMS)上展示了321层产品的开发进展，并首次展示了样品。这一进展凸显了 SK海力士致力于突破 NAND 闪存技术界限的承诺。

NAND闪存是一种非易失性存储技术，广泛应用于各种电子设备，包括智能手机、平板电脑、USB驱动器和固态硬盘(SSD)。NAND闪存的层数是指存储单元的垂直堆叠，层数越多通常表示存储密度和容量越高。321 层 NAND 闪存与前几代(例如 238层NAND)相比实现了重大飞跃。

新的 321层产品比其前身有多项改进。数据传输速度提升12%，读取性能提升13%，数据读取电源效率提升10%以上。这些增强功能对于满足人工智能(AI)和数据中心等应用中对高性能和大容量内存不断增长的需求至关重要。

SK海力士推出“3-Plug”工艺技术，以克服321层产品开发过程中的堆叠限制。这种创新方法涉及分三个阶段进行插塞过程，然后优化后续过程以电连接三个插塞。此外，SK海力士开发了一种低变形材料，通过改变插头内部填充的材料来减少变形，并引入了插头之间的自动对准校正技术。

而且，SK海力士将上一代238层NAND的开发平台应用到了321层，最大限度地减少了工艺变更，与上一代相比，生产率提高了59%。与上一代产品相比，321层产品的数据传输速度提高了12%，读取性能提高了13%。数据读取的电源效率也提升了10%以上。

SK海力士副总裁ChoiJung-dal强调了这一成果的战略重要性，他表示:“SK海力士在瞄准AI存储市场(包括用于AI数据中心和设备端AI的SSD)方面获得了有利的地位，成为第一个开始大规模生产 300 层以上 NAND的公司。"他进一步补充道:“我们将凭借完美的超高性能内存产品组合，以高带宽内存(HBM)为代表的DRAM 以及 NAND 等，成为人工智能内存提供商。"

321 层 NAND 闪存的推出对各个市场具有重大影响，包括消费电子产品、企业存储和人工智能等新兴技术。人工智能和数据中心的增长推动了对高性能和大容量内存的需求，需要快速高效的数据处理。SK 海力士在 NAND 闪存方面的进步对于支持这些技术至关重要。

来源：做人的良心