摘要：国家知识产权局信息显示，深圳创芯技术股份有限公司取得一项名为“一种超结MOS管的抑制电路”的专利，授权公告号CN 222215516 U，申请日期为2024年4月。

金融界2024年12月30日消息，国家知识产权局信息显示，深圳创芯技术股份有限公司取得一项名为“一种超结MOS管的抑制电路”的专利，授权公告号CN 222215516 U，申请日期为2024年4月。

专利摘要显示，本实用新型公开了一种超结MOS管的抑制电路，该抑制电路接至一桥式整流电路BD1的输出端，其分别并联有电容C15、有极性电容C5、有极性电容C7，有极性电容C5、有极性电容C7的负极端均接地PGND，该抑制电路靠近变压器的主绕组T1A设置，其包括电容C6和电阻R7 所述电容C6的第端接至所述主绕组T1A的初级线圈第一端，所述电容C6的第二端和所述电阻R7的第一端连接，所述电阻R7的第二端接地PGND。本实用新型抑制电路是对现有的工业供电电路进行优化，在高压瓷片电容上再串联一个5‑100欧的电阻，提高抑制效果。本实用新型抑制电路一定要靠近变压器的主绕组，这样的抑制效果会更好。

来源：金融界