半导体突破封锁,首款国产DDR5存储器上市!

B站影视 2024-12-25 21:06 2

摘要:前几天看到我国首款DDR5上市了,我抱着怀疑的态度,在网上买了根内存条,金百达的,今天收到了。

前几天看到我国首款DDR5上市了,我抱着怀疑的态度,在网上买了根内存条,金百达的,今天收到了。

本文用的图片,全都是官方旗舰店产品介绍展示的图片。

当然我不是宣传金百达的内存条,除了他家,还有光威也上架了,我买回来也不是为了使用,纯粹是想亲眼看一下,是谁代工生产的?

现在大家也可以去电商上看,两家卖的都很便宜,只要五百元,相比于三星的差不多便宜40%左右。

国产替代就是这么简单粗暴,只要我生产出来,立马低价抢占市场。

前不久我讲过一次兆易创新,国际几大内存巨头逐步放弃DDR3和DDR4市场,被我们的公司笑纳了。

主要是我们自从量产DDR3和DDR4以来,价格是一路下滑,三星、SK海力士和美光虽然技术很厉害,不过在价格战面前,也赚不到钱,所以他们都把重点放在DDR5、HBM和3D DRAM这些高端产品上面去了。

现在竞争最激烈的是HBM,因为人工智能AI火起来后,需求大增。

HBM是DRAM第三代和第四代技术。三星采用的是1a工艺,SK海力士采用1b工艺,美光刚入局不久,布局的是1c工艺。

DRAM技术是按照工艺划分的,第一、二、三代分别是1x、1y、1z工艺,然后第四、五、六代分别是1a、1b、1c工艺。

这玩意最关键的技术,就是我们经常说的光刻机,从第四代开始,氟化氩(ArF)光刻机就已经没法满足1a工艺的需求,只能采用极紫外(EUV)光刻机。

美光比较特立独行,使用了“微缩”技术过渡,不过现在也采用EUV光刻机了。

然后大家就都知道了,人家不卖EUV光刻机给我们。

因为被卡脖子,我们的逻辑芯片封锁在14纳米,DRAM封锁在18纳米,NAND封锁在128层。

所以兆易创新的DDR4就是18.5纳米,再高就做不出来了。

这也是为什么我前面刚说要亲眼看一下,是谁代工的?理论上应该做不出来才对。

产品拿到手我就拆了,首先看到的是一个大大的金百达LOGO(King Bank),看样子是金百达自己封装的。

然后再往里面找,就再也看不到任何厂家信息,不信的可以自己买一根去看。

这就跟华为的麒麟芯片一样,又是一个迷。

理论上国内具备生产DDR5能力的,只可能是长鑫存储或者晋华集成,后面可能长江存储也能做,现在也在布局,之前他主要是做闪存的。

大家对长鑫存储应该都很了解,福建晋华可能有点陌生,当年长鑫和晋华被称为DRAM双雄,也是很厉害的。

不过2017年被美国制裁,受到的打击挺大的,本来晋华和联电是要合作的,美光跳出来搞事情,联电就撤了。

所以后来大家主要关注的就是长鑫,其实晋华经过这几年的休养生息,也还是不错的。

至于长鑫存储,当年吸收了奇梦达的遗产,就有了今天的DRAM成就。

《奇梦达》是《英飞凌》旗下做存储器和逻辑芯片的子公司,而《英飞凌》是西门子旗下的半导体部门。

金融危机的时候《奇梦达》倒了,兆易创新跟合肥一起成立的《长鑫存储》,就拿下了《奇梦达》的DRAM技术。

DRAM的技术难度非常高,所以一直以来,行业集中度都非常高,全球的高端市场,就被那三个国际巨头垄断了。

现在我们突破了DDR5,算是很关键的一步,虽然不知道怎么突破的,也不知道良率如何。

2019年的时候,长鑫存储就开始了DDR5的研发,去年的年底,也推出了LPDDR5。

可以确定的是,DDR5的性能上确实已经接近了那三大巨头的产品。

我买的这根DDR5内存条,频率是6000MHz,时序是CL36-36-36-80,工作电压为1.35V,支持Intel和AMD主流平台。

我也看了一下光威的产品介绍,时序略微差一点点,工作电压1.4V略微高一点点,不过有更大的超频空间,可以达到6400MHz。

可能不怎么关注技术的朋友不太懂这是什么意思,不过没关系,只需要知道,国产DDR5的表现,差不多是国际三巨头性能的90%以上就行。

还有一点差距,但是真的很小了。

如果良率还能达到80%以上,那我就真好奇,到底是谁生产的?

虽然都在说是长鑫存储生产的,但是到目前为止,长鑫也没有任何消息公布,现在官网上依然还只有2023年11月28日推出LPDDR5的信息,然后长鑫是没有EUV光刻机的,他是怎么做出来的?

难道是有什么巧妙的办法,用DUV光刻机硬是把DDR5给做出来了?

按理说G3工艺至少要做到线宽17.5纳米才行,那可就真厉害了。

也有朋友根据产品上面的编码,然后从JEDEC这个识别码,查到对应的代码是长鑫存储。

但是毕竟产品上没有标明是谁家的颗粒,既然人家有意隐瞒,我觉得也没必要去刨根追底。

我觉得光威有一张图片上的文字写得很好,如下图所示。

他说国产存储芯片在科技的浪潮中已经强势崛起,国产DDR5内存的诞生,不单单是技术层面的重大突破,更是国产自主可控能力的有力彰显。

既是技术的飞跃,更是国产颗粒前进的一次重大胜利。

这个话说的确实不夸张,虽然现在还不知道如何生产的,但毕竟是做出来了。

也就意味着突破了18纳米的封锁,而且相比三星只落后了4年时间,确实值得自我夸奖一下。

来源:木禾投研一点号

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