摘要：核心观点：2025年4月，中国汽车产销增长强劲，推动功率器件需求提升，尤其车规级半导体国产化空间大。二季度消费电子旺季，且国补政策影响下，需求稳定。交货周期方面，主流厂商的低压与高压Mosfets、IGBTs交货周期多呈上升态势，行业供应偏紧。价格上，二极管价
核心观点：2025年4月，中国汽车产销增长强劲，推动功率器件需求提升，尤其车规级半导体国产化空间大。二季度消费电子旺季，且国补政策影响下，需求稳定。交货周期方面，主流厂商的低压与高压Mosfets、IGBTs交货周期多呈上升态势，行业供应偏紧。价格上，二极管价格微增，Mosfets价格下降，但整体行业呈现量增价稳趋势。三大维度解读功率器件最新供需动态：市场需求分析
图 | 二极管四方维商品动态商情需求指数情况，来源：Supplyframe四方维
图 | 晶体管四方维商品动态商情需求指数情况，来源：Supplyframe四方维
2025年4月，中国汽车产销分别完成9万辆和259万辆，同比分别增长8.9%和9.8%；1-4月产销累计完成876.5万辆和864.1万辆，同比分别增长14.5%和12.4%。2025年4月，中国新能源汽车产销分别完成1万辆和122.6万辆，同比分别增长43.8%和44.2%；1-4月，新能源汽车产销累计完成442.9万辆和430万辆，同比分别增长48.3%和46.2%。随着电动化、智能化、网联化技术的推动，单辆汽车芯片用量及价值日益提升，同时，车规级半导体国产化率偏低，是本土厂商重点发力及高增长的领域。二季度作为消费电子传统旺季，且在国补政策的刺激下，消费者购买意愿较强，消费电子产销规模保持稳定增长。华润微在投资者关系活动中表示，在新能源领域，光伏储能二季度接单量明显增长；工控领域，细分领域较多，但整体需求平稳。交货周期分析
图 | 二极管四方维商品动态商情交货期指数情况，来源：Supplyframe四方维
图 | 晶体管四方维商品动态商情交货期指数情况，来源：Supplyframe四方维
Vishay的低压Mosfets的交货周期为8-36周，呈现上升态势；高压Mosfets的交货周期为8-28周，呈现上升态势；TVS Diodes的交货周期为8-12周，呈现走平态势。DIODES公司的低压Mosfets的交货周期为12-40周，呈现上升态势；TVS Diodes的交货周期为8周，呈现走平态势。英飞凌的低压Mosfets的交货周期为8-26周，呈现上升态势；高压Mosfets的交货周期为8-40周，呈现上升态势；IGBTs的交货周期为12-52周，呈现上升态势。Littelfuse的低压Mosfets的交货周期为25-44周，呈现走平态势；高压Mosfets的交货周期为25-52周，呈现走平态势；IGBTs的交货周期为13-60周，呈现走平态势。安森美的低压Mosfets的交货周期为7-38周，呈现上升态势；高压Mosfets的交货周期为4-19周，呈现上升态势；IGBTs的交货周期为8-37周，呈现上升态势。微芯的高压Mosfets的交货周期为4-26周，呈现上升态势；IGBTs的交货周期为14-26周，呈现上升态势。扬杰科技于5月9日宣布其SiC车规级功率半导体模块封装项目正式开工，总投资高达10亿元。该项目专注于车规级框架式和塑封式IGBT、SiC MOSFET模块等第三代半导体产品。截至2025年4月，湖南三安的8英寸碳化硅衬底及外延产能已达1000片/月，8英寸碳化硅芯片产线正在建设中。重庆三安的8英寸碳化硅衬底生产线已于2025年3月投产，当前产能为500片/周，并计划逐步提升至每周1万片。2025年4月，士兰微公告，目前公司已形成月产9,000片6英寸SiC MOS芯片的生产能力，并成功开发出第IV代平面栅SiC-MOSFET技术，性能接近沟槽栅SiC器件。此外，第V代SiC芯片与模块已送客户评测，预计2025年上量。同时，8英寸SiC mini line已实现通线，预计2025年4季度实现全面通线并试生产。价格波动分析
图 | 二极管四方维商品动态商情价格指数情况，来源：Supplyframe四方维
图 | 晶体管四方维商品动态商情价格指数情况，来源：Supplyframe四方维
2025年4月，二极管的四方维动态商情价格指数为6，同比增长-6.8%，环比增长0.4%。2025年4月，Mosfets的四方维动态商情价格指数为52，同比增长-16.3%，环比增长-16.6%。华润微在投资者关系活动中表示，整体来看行业呈现温和复苏趋势，已出现量增价稳格局，认为2025年产品价格将稳定在一定区间内。来源：与非网
