摘要：当2022年美国将长江存储列入实体清单，禁止美系企业向其出售128层以上3D NAND制造设备时，外界普遍认为这家中国存储巨头的技术升级之路将就此停滞。

前言：

当2022年美国将长江存储列入实体清单，禁止美系企业向其出售128层以上3D NAND制造设备时，外界普遍认为这家中国存储巨头的技术升级之路将就此停滞。

彼时，长江存储二期工厂原定10万片/月的产能直接腰斩至4-5万片，先进制程研发陷入无米之炊的困境。

但三年后的今天，剧情却迎来了颠覆性反转，这场从绝境到破局的逆袭，不仅是一家企业的抗争史，更是中国半导体产业链打破海外垄断、构建自主生态的缩影。

作者 | 方文三

图片来源 | 网 络

207亿三期工厂，全国产线的野心与挑战

2025年9月，长江存储三期（武汉）集成电路有限责任公司正式注册成立，注册资本高达207.2亿元，明确提出[100%使用国产半导体设备]的目标。

目前长存总产能月约14万片/月，占全球3D NAND市场份额约12%，根据历史环评信息，长江存储规划产能为30万片/月，项目分三期建设，每期产能为10万片/月。‌

2023年长江存储武汉二期工厂投产后，产能提升至全球第三。

此次长存三期（武汉）集成电路有限责任公司的成立，与此前长江存储的扩产动作一脉相承，进一步推动其先进制程研发与产能扩张。

长江存储三期工厂的落地，将国产化从部分替代推向全面自主的新阶段，但这条道路上仍布满荆棘。

从规划来看，三期工厂的[野心]显而易见，月产能10万片，2026年投产后总产能将达30万片/月，对应全球NAND产能占比将从当前的8%提升至15%。

这意味着中国将在全球存储市场中拥有[定价影响力]，要知道，全球NAND市场长期被三星（32.9%）、SK海力士（21.1%）、铠侠（13.5%）、美光（13.3%）垄断。

前五大厂商合计占比超92%，长江存储若实现15%份额，将成为全球第四大NAND供应商，直接改写市场格局。

更关键的是，三期工厂将成为[全国产设备的试验田]，目前长江存储已与北方华创、中微公司、拓荆科技、华海清科等国产设备商达成深度合作。

但[100%国产化]的目标，仍面临三大核心挑战。

①良率与成本的平衡：当前国产设备的初始良率比国际大厂低15-20%，设备单价却高30%。

以一条10万片/月的产线为例，设备投资约225亿元，仅刻蚀设备就需50-60亿元，若良率无法快速提升，单瓦成本将显著高于三星、美光。

②设备兼容性与稳定性：集成电路制造涉及九大类核心设备，需实现无缝协同。

国产设备虽在单点突破，但不同厂商设备间的工艺适配、长期稳定性仍需磨合，从试产到稳定量产，分析师预计至少需要3-5年周期。

③光刻设备的瓶颈：尽管刻蚀、沉积等环节国产化率已超30%，但光刻设备仍是短板。

2024年国产光刻设备国产化率仅0-1%，上海微电子的ArF光刻机虽已实现90nm制程突破，但与ASML的EUV光刻机仍有代差，这可能限制长江存储向更高层数的突破。

摩根士丹利的报告指出，45%的国产化率已让长江存储远超行业平均，但100%国产化仍超出当前中国芯片制造商的能力范围。

这种审慎的判断，恰恰说明长江存储的突围并非一蹴而就，而是一场需要耐心的持久战。

制裁下的绝境，从产能腰斩到国产化破局

长江存储的国产化之路，从一开始就带着被迫的底色。

作为中国唯一实现3D NAND闪存量产的企业，长江存储自2016年成立起就承载着打破美日韩垄断的使命。

2021年时，其国产设备使用率已达16.3%，甚至率先采购了首台国产KrF光刻机，成为国内晶圆厂中推进国产化最激进的玩家。

但彼时的它，仍高度依赖LAM的刻蚀机、ASML的光刻机等海外设备，仅美国设备在其采购占比中就达43.44%，美日荷三国设备合计占比超76%。

2022年的制裁，直接掐住了长江存储的[咽喉]，不仅新设备采购通道被切断，连现有设备的维修零部件都面临禁运。

更严峻的是，3D NAND制造中最核心的高深宽比刻蚀工艺，当时几乎完全依赖LAM刻蚀机，这直接导致232层NAND一度难产。

绝境之下，全面国产化从备选方案变成了唯一出路。

长江存储迅速与国内设备厂商组建[攻坚联盟]，从光刻、刻蚀到薄膜沉积、清洗，逐个突破工艺环节的设备替代。

到2024年，其设备国产化率已飙升至45%，远超中芯国际荆城晶圆厂22%、临港晶圆厂18%的水平，成为国内国产化率最高的晶圆厂。

这种破局并非偶然，数据显示，2024年全球半导体设备市场规模1171.4亿美元，中国占比超4成（495.5亿美元），但多数环节国产化率仍低于20%，光刻设备0-1%、量检测设备1-10%、涂胶显影5-10%。

技术王牌Xtacking，成竞争的[话语权武器]

长江存储在2018年推出的Xtacking架构，直接颠覆了这一逻辑，这种技术创新，让长江存储在全球市场中站稳了脚跟。

Tech Insights的产线纵切面分析显示，从128层开始，长江存储的单位存储密度就一直占据同层数产品的[纵向最高点]。

2023年推出的232层TLC芯片X4-9070，通过双层堆叠实现294层等效密度，接口速度达3600MT/s，性能比肩三星、SK海力士的旗舰产品。

2025年量产的Xtacking 4.0架构，更是斩获FMS 2025[最具创新存储技术奖]。

更具标志性的是，2025年三星主动与长江存储签署[混合键合专利授权协议]，为了推进400层以上NAND的研发，这家全球存储巨头不得不向中国企业支付专利费。

截至2025年，长江存储的专利申请总量已超1.2万件，其中国际专利5800余项，95%为发明专利。

这些专利不仅是技术壁垒，更成为中国半导体企业在全球竞争中的[话语权武器]。

供应链协同，一群中国企业的[集体逆袭]

在设备领域，北方华创已成长为全球第六大半导体设备厂商，其PVD、CVD设备不仅覆盖长江存储全产线，还进入中芯国际、长鑫存储的供应链。

中微公司的等离子刻蚀机更是打破国际垄断，被台积电用于5nm制程产线，技术水平跻身全球顶尖。

盛美上海的清洗设备、中科飞测的量测设备，也在长江存储的产线上实现规模化应用，逐步替代KLA的海外设备。

在材料领域，安集科技的CMP抛光液覆盖长江存储12英寸3D NAND产线，14nm以下先进制程抛光液已实现突破。

雅克科技成为国内少数具备NAND/DRAM全栈能力的材料商，前驱体产品直接供应长江存储。

就连此前高度依赖进口的大硅片，也有沪硅产业、立昂微等企业突破12英寸晶圆量产，虽然国产化率仅30%，但已能满足中低端产线需求。

这种协同效应正在形成正向循环，长江存储的订单让国产设备商获得研发资金，加速技术迭代；迭代后的设备又反哺长江存储，提升其产线效率与产品竞争力。

结尾：中国半导体的正向循环与未来

长江存储的实践证明，通过[企业牵引+产业链协同+政策支持]，中国完全有能力构建自主的半导体生态。

对国产设备商而言，长江存储的产线成为[技术练兵场]，北方华创、中微公司等企业通过量产验证，技术水平快速提升，甚至开始出海。

2025年北方华创的海外订单同比增长50%，中微公司的刻蚀机进入台积电供应链，打破了海外厂商的垄断。

对下游应用而言，长江存储的存在让中国企业摆脱了[存储颗粒卡脖子]的风险。

AI服务器、智能手机、汽车电子等领域的国产厂商，终于有了[自主可控]的存储选择，降低了供应链波动带来的风险。

对整个产业而言，长江存储的突围形成了正向循环：国产设备出货量提升→研发成本摊薄→技术迭代加速→更多晶圆厂采用国产设备→进一步扩大市场份额。

这种循环一旦形成，将彻底改变中国半导体产业的被动局面。

部分资料参考：芯光小栈：《100%国产设备：长存的黎明将至》，科技专家：《长江存储，要采用全国产设备，生产芯片了》，半导体设备资讯站：《长江存储第三工厂，将全线国产设备》，认知的另一面：《1600亿独角兽股改完成，产业链核心标的受益明确》，投资有道杂志：《长江存储打开IPO想象空间，8公司抢着攀关系，[含长量]参差不齐》，龙科多：《老美万万没想到，长江存储搞出了全国产化产线》

来源：AI芯天下