摘要：根据天眼查APP数据显示中微公司新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体器件的形成方法”，专利申请号为CN202110601714.8，授权日为2025年10月17日。

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示中微公司新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体器件的形成方法”，专利申请号为CN202110601714.8，授权日为2025年10月17日。

专利摘要：本发明公开了一种半导体器件的形成方法，包括：提供基底，所述基底的表面包括氧化层和设于所述氧化层周围的非氧化层；轰击：利用一轰击离子对所述氧化层的表面进行轰击，在其表面形成Si‑O悬键；沉积：通入刻蚀气体，所述刻蚀气体在所述氧化层的表面与Si‑O悬键形成结合层，在非氧化层的表面形成碳氟聚合物层；清除：通入轰击气体，利用所述轰击气体提供的能量，使结合层中的Si‑O悬键与刻蚀气体的前驱物发生反应形成可挥发气体。本发明提供的方法，提高了氧化硅对氮化硅和多晶硅的刻蚀选择比，形成的碳氟聚合物层能够保护氮化硅和多晶硅不受离子轰击的损伤，同时实现了对刻蚀形貌的精确控制，适用于刻蚀3D NAND存储器不同位置的氧化硅。

今年以来中微公司新获得专利授权130个，较去年同期增加了41.3%。结合公司2025年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了11.16亿元，同比增96.65%。

通过天眼查大数据分析，中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了29家企业，参与招投标项目67次；财产线索方面有商标信息98条，专利信息1538条，著作权信息13条；此外企业还拥有行政许可76个。

数据来源：天眼查APP

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来源：证券之星