【三星电子400层NAND完成研发 并已开始导入产线】《科创板日报》9日讯，三星电子已在其半导体研究所成功完成400层NAND技术，并已于上月开始将这项先进技术转移到平泽园区一号工厂的大规模生产线上。三星电子计划于明年2月在ISSCC上详细发布其1Tb容量400层TLC NAND，其量产预计将于明年下半年开始，但业界预测，如果加快进程，生产可能会在第二季度末开始。摘要：三星电子已在其半导体研究所成功完成400层NAND技术，并已于上月开始将这项先进技术转移到平泽园区一号工厂的大规模生产线上。三星电子计划于明年2月在ISSCC上详细发布其1Tb容量400层TLC NAND，其量产预计将于明年下半年开始，但业界预测，如果加快进程
来源：财联社
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