摘要：DDR4（双倍数据速率 4）内存价格曾被视为 DRAM 市场的领先指标，但如今它正在逐渐失去解释市场趋势的作用。这是因为随着 PC 和服务器市场加速向 DDR5 的升级，全球内存制造商正在减少 DDR4 的产量。因此，近期 DDR4 价格的飙升被解读为供应减少
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DDR4（双倍数据速率 4）内存价格曾被视为 DRAM 市场的领先指标，但如今它正在逐渐失去解释市场趋势的作用。这是因为随着 PC 和服务器市场加速向 DDR5 的升级，全球内存制造商正在减少 DDR4 的产量。因此，近期 DDR4 价格的飙升被解读为供应减少导致的暂时现象，而非市场复苏的迹象。
据业内人士10日透露，包括三星电子、SK海力士、美光等主要DRAM厂商都在持续削减DDR4产量。随着服务器和PC市场支持DDR5的产品增多，生产结构也正在围绕DDR5进行重组。
DDR5 的采用正在迅速扩大，尤其是在服务器市场。
占据服务器 CPU 市场 90% 份额的英特尔，在 2023 年发布的第四代至强可扩展处理器 (Sapphire Rapids) 中彻底停止了对 DDR4 的支持。此后发布的所有服务器处理器，包括 Emerald Rapids 和 Granite Rapids，也都只支持 DDR5。AMD 从 Genoa 平台开始也原生支持 DDR5，服务器市场实际上已经过渡到仅支持 DDR5 的架构。
DDR5 转型背后的关键驱动力是人工智能 (AI) 和高性能计算 (HPC) 需求的爆炸式增长。与现有的 DDR4 相比，DDR5 的传输速度提高了约 1.5 到 2 倍，能效提高了约 30%。这使其成为需要更大带宽和更低功耗的人工智能的理想选择。
DDR5 的采用不仅在服务器市场，也在 PC 市场迅速扩张。由于英特尔和 AMD 的大多数最新 CPU 都原生支持 DDR5，DDR4 的需求已所剩无几，尤其是在老款平台上。
市场研究公司 TrendForce 预测，今年下半年 DDR5 将占所有 PC 和服务器 DRAM 出货量的一半以上。
三星电子、SK海力士、美光等主要内存公司正在减少DDR4生产线，并将投资重点转向DDR5和HBM（高带宽内存）。
DDR4 已归类为成熟产品类别，其特点是单价低、盈利能力弱。其效率低于采用 EUV（极紫外）光刻工艺的 DDR5 和 HBM 产品。然而，即使使用相同的设备，DDR5 和 HBM 也能产生显著更高的销售额和利润。
最终，制造商将生产设施集中在高附加值产品上，这一过程导致DDR4供应减少，价格暂时上涨。然而，此次价格飙升是供应减少而非需求增加的结果，并不代表市场复苏。
一位内存行业人士表示，“如果数量下降，但需求还没有下降那么多，那么任何产品的价格都会上涨”，“DDR4 也是如此”。
DRAM，好起来了？
预计2026年全球存储器半导体市场即使在经济温和放缓的情况下仍将保持相对稳定的增长。近年来推动行业发展的高带宽存储器（HBM）预计将因竞争加剧而增长放缓，而DRAM和NAND闪存预计将在需求和生产平衡的推动下表现良好。
据iM证券6日发布的报告显示，2025年DRAM需求增长率上修至19.3%，略高于行业产量增长率18.1%。受全球经济放缓影响，预计2026年DRAM需求增长率为14.1%，产量增长率为14.2%。
NAND闪存也呈现出类似的趋势。预计2026年需求增长率将达到13.8%，而产量增长率预计将达到14.0%，表明供需平衡。
iM证券分析师宋明燮指出：“HBM在2024年至2025年期间经历了爆炸式增长，但由于竞争对手的进入和供应增加，其增长速度在2026年可能会放缓。”相反，他分析道：“经历了长期价格下跌的NAND已经触底，并且可能会出现相对的价格强势。”
在需求方面，智能手机和服务器被视为关键变量。
预计2025年全球智能手机出货量将增长0.7%，高于最初预测的-0.4%。这得益于美国和印度市场的强劲需求，以及半导体关税的推迟。
预计2026年服务器市场出货量将增长4.7%，这得益于大型科技公司持续积极的资本支出。这一增长被认为是由人工智能的普及和数据中心扩展的需求推动的。
然而，也存在重大风险因素。如果对目前免税的半导体征收高额关税，可能会导致IT设备价格上涨，需求放缓。
宋警告说：“关税政策的变化是可能对内存行业产生重大影响的外部变量”，并补充说，“它们可能会对智能手机和服务器的需求产生直接影响。”
三巨头均在投入1C DRAM
各大内存厂商正在加速对1c（第六代10纳米级）DRAM的投资。三星电子已于今年上半年开始建设量产生产线，而SK海力士则据报道正在商讨其近期转换投资的具体计划。美光公司本月还获得了日本政府对其新建1c DRAM工厂的补贴。
据业内人士透露， 各大存储器企业 正集中进行1c DRAM量产的新建和转换投资。
1c DRAM 是各大内存公司计划在今年下半年量产的下一代 DRAM。 三星电子已决定在其 HBM4（第六代高带宽内存）中积极采用 1c DRAM。SK 海力士和美光则计划在包括服务器在内的通用 DRAM 中使用 1c DRAM。
三星电子正积极扩张其1c DRAM产能。目前，该公司正在平泽4号园区（P4）建设一条新的1c DRAM量产线，同时还在投资将其华城17号线改造为1c DRAM生产线。预计到今年年底，其产能将达到每月最高6万片晶圆。
SK海力士在7月份的2025年第二季度财报中宣布，“1c DRAM的转换投资将于今年下半年开始，明年将全面实施”，并且“目前正在制定管理计划，具体方案一旦确定就会与大家分享”。
据业内人士透露，此次改建投资很可能在利川的M14晶圆厂进行。M14晶圆厂一直在将其部分现有NAND生产线改造用于DRAM的量产。SK海力士目前正在讨论拆除该厂老旧DRAM设施并引入1c DRAM生产线的计划。
半导体业内人士表示，“1c工艺不仅可以用于高附加值的服务器用DRAM，还可以用于HBM4E（第7代HBM），因此是SK海力士关注的领域”，“虽然尚未确定设备投资，但预计明年将在所有工艺领域进行积极投资”。
美光公司也有望加速对1c DRAM的投资。日本经济产业省（METI）本月中旬宣布，将向美光公司正在广岛地区建设的新DRAM工厂提供高达5360亿日元（约合4.7万亿韩元）的补贴。
该工厂计划专注于美光1γ（伽马）工艺的量产，预计2027年投入运营。1γ是韩国半导体行业用于解决1c DRAM的工艺，预计美光将在其HBM4E中采用该工艺。
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来源：半导体行业观察一点号
