摘要:2025年9月,全球存储芯片市场的缺货情况全面升级,DRAM与NAND闪存两大核心品类均陷入供应紧张,且短缺程度远超此前预期。据台湾工商时报消息,今年四季度及2026年行业价格将进一步上升。
2025年9月,全球存储芯片市场的缺货情况全面升级,DRAM与NAND闪存两大核心品类均陷入供应紧张,且短缺程度远超此前预期。据台湾工商时报消息,今年四季度及2026年行业价格将进一步上升。
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全球云厂商大幅上调2026年订单,部分北美云企单笔订单达数十EB级,导致三星、SK海力士、美光三大存储原厂库存告急。同时,传统HDD大厂如西部数据等相继减产,引发至少半年供应短缺,迫使部分订单转向SSD,进一步加剧NAND供应链紧张。
市场调价动作已密集落地。存储模组大厂威刚自9月29日起全面停止DDR4报价,DDR5与NAND闪存优先供应核心客户;NAND控制芯片厂群联率先恢复报价并提价10%,被视为市场“开涨信号”。三星DRAM涨幅达15%-30%,NAND涨5%-10%,美光计划全线产品涨价20%-30%。业内普遍认为,Q4合约价涨幅或超预期,DDR5合约价预计上涨10%-15%、现货价15%-25%,DDR4合约价涨幅逾10%、现货价逾15%。
这次存储芯片缺货潮,不是简单的行业周期波动,而是AI时代算力需求爆发与传统产能结构失衡碰撞出的必然结果,对整个产业链既是挑战,更是一次格局重塑的机会。
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从需求端看,本轮缺货的核心驱动力是AI算力基建。不同于2016-2019年、2020-2023年依赖消费端的周期,现在大型科技公司的AI服务器需求呈爆发式增长,单台AI服务器内存需求达3TB,是普通服务器的数十倍。这种需求不是短期脉冲,而是长期趋势——美光在最新财报中提到,AI需求已全面扩散至数据中心、PC、手机及车用等应用,云厂商提前锁定2026年产能,意味着中长期供应缺口很难快速缓解。
供应端的矛盾则更加突出。三大存储原厂为抢占AI赛道,将产能优先分配给HBM(高带宽内存)及企业级SSD,挤压了消费级、工业级存储的产能。同时,海外巨头缩减DDR4产能,即便三星、SK海力士延长DDR4生产至2026年,供应仍无法满足需求,甚至出现LPDDR4X价格反超DDR5的倒挂现象。这种结构性短缺,让中小终端企业陷入“恐慌性下单”的困境,部分商家因高价暂停采购,成本压力正沿着产业链层层传导。
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但危机中往往藏着机遇,这次缺货潮恰好为国产存储厂商打开了突围窗口。海外产能向高端产品倾斜,国内厂商如长鑫存储、长江存储紧急重启DDR4产线,顺利承接转移订单。长鑫存储2025年DRAM产能目标提升至273万片/年,同比增幅达68%,还计划2026年向AI客户供应HBM3样品;长江存储在NAND领域的技术突破也在加速,232层NAND已实现量产。
企业级存储领域的国产替代速度同样值得关注。腾讯、阿里等国内云厂商加速导入国产eSSD,江波龙、德明利等模组厂订单激增;长电科技、通富微电突破HBM封装技术,通富微电FCBGA封装已能支持16层NAND堆叠,完美适配AI芯片需求。这些动作不仅让国产厂商在短期内抓住了缺货带来的市场份额,更在长期为技术迭代和产能扩张奠定了基础。
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不过,也需要警惕潜在风险。2026年若全球存储厂商集体大幅扩产,可能引发新的产能过剩;当前中小终端企业面临的成本压力,也可能在未来传导至消费市场,影响普通用户的采购决策。
行业的每一次波动,都是对企业应变能力的考验。存储芯片缺货潮看似是供应问题,实则是技术变革与市场需求升级的必然产物。对企业而言,只有紧跟技术趋势、提前布局核心领域,才能在周期更迭中站稳脚跟;对普通消费者来说,若近期有采购电脑、硬盘等设备的需求,可适当关注价格走势,避免在高位盲目入手。
这次存储芯片市场的变局,正在改写全球产业链格局。你觉得国产存储厂商能抓住这次机会实现弯道超车吗?欢迎在评论区分享你的看法。
来源:清华同学