摘要：在半导体制造过程中，不同工艺环节会使用到种类繁多的电子气体。依据其用途可将这些气体大致划分为以下几类：
半导体制造常用电子气体分类汇总
在半导体制造过程中，不同工艺环节会使用到种类繁多的电子气体。依据其用途可将这些气体大致划分为以下几类：
一、掺杂气
掺杂气体主要用于离子注入或扩散工艺中，将特定杂质（如P、B、As等）掺入半导体基体内，以调控其电学性能。常见的掺杂气体包括：
AsH₃（砷烷）PH₃（磷烷）GeH₄（锗烷）B₂H₆（二硼烷）AsCl₃（三氯化砷）AsF₃（三氟化砷）H₂S（硫化氢）BF₃（三氟化硼）BCl₃（三氯化硼）SeH₂（硒化氢）SbH₃（锑烷）(CH₃)₂Te（二甲基碲）(CH₃)₂Cd（二甲基镉）(C₂H₅)₂Cd（二乙基镉）PCl₃（三氯化磷）(C₂H₅)₂Te（二乙基碲）
二、晶体生长气
晶体生长气体用于外延层或ALD的生长反应。常见气体有：
SiH₄（硅烷）SiH₂Cl₂（二氯硅烷）SiHCl₃（三氯硅烷）SiCl₄（四氯化硅）B₂H₆（二硼烷）BBr₃（三溴化硼）BCl₃（三氯化硼）AsH₃（砷烷）PH₃（磷烷）GeH₄（锗烷）TeH₂（碲化氢）(CH₃)₃Al（三甲基铝）(C₂H₅)₃Al（三乙基铝）(CH₃)₃As（三甲基砷）(C₂H₅)₃As（三乙基砷）
(CH₃)₂Hg（二甲基汞）(CH₃)P（甲基磷）(C₂H₅)₃P（三乙基磷）
SnCl₄（四氯化锡）GeCl₄（四氯化锗）SbCl₅（五氯化锑）Si₂H₆（二硅烷）HCl（氯化氢）
三、蚀刻气体
通过在等离子体激发下生成反应性中间体（如F自由基、Cl自由基等），用于刻蚀不同的薄膜材料。常见气体有：
SiF₄（四氟化硅）CF₄（四氟化碳）C₃F₈（八氟丙烷）CHF₃（三氟甲烷）
C₂F₆（六氟乙烷）CClF₃（三氟一氯甲烷）O₂（氧气）C₂ClF₅（五氟一氯乙烷）NF₃（三氟化氮）SF₆（六氟化硫）BCl₃（三氯化硼）HFCl₂（氯氟化氢）N₂（氮气）He（氦气）Ar（氩气）Cl₂（氯气）HCl（氯化氢）HF（氟化氢）HBr（氢溴酸）
四，离子注入气
用于离子注入工艺中的离子源材料：
AsF₃（三氟化砷）PF₃（三氟化磷）PH₃（磷烷）BF₃（三氟化硼）BCl₃（三氯化硼）SiF₄（四氟化硅）SF₆（六氟化硫）H₂（氢气）N₂（氮气）
五：气相淀积气
用于CVD工艺中薄膜的生长：
SiHCl₂（二氯硅烷）SiCl₄（四氯化硅）NH₃（氨气）NO（一氧化氮）
O₂（氧气）NO2（二氧化氮）
六、稀释气
常用于掺杂、CVD或刻蚀中用于调控反应气浓度或传热：
N₂（氮气）Ar（氩气）He（氦气）H₂（氢气）CO₂（二氧化碳）
N₂O（一氧化二氮）O₂（氧气）
来源：科学新学生
