摘要：美光公布截至2025年8月28日的FY2025Q4财季(2025年6月-8月)业绩，该季营收113.2亿美元，环比增长22%，同比增长46%，再创历史新高；Non-GAAP下，营业利润39.6亿美元，营业利润率由上季度的26.8%上升至35%；净利润34.7亿
美光公布截至2025年8月28日的FY2025Q4财季(2025年6月-8月)业绩，该季营收113.2亿美元，环比增长22%，同比增长46%，再创历史新高；Non-GAAP下，营业利润39.6亿美元，营业利润率由上季度的26.8%上升至35%；净利润34.7亿美元，环比增长59%，同比大增158%。
得益于定价策略的有效执行以及各终端市场的强劲表现，FY2025Q4财季(2025年6月- 8月)美光收入、毛利率及每股收益均超出其更新后指引区间的高位。
2025财年（2024年9月-2025年8月），美光营收达到创纪录的374亿美元，同比增长近50%；毛利率提升17个百分点至41%。这一业绩得益于高价值数据中心产品的产能爬坡以及各终端市场DRAM产品的广泛定价优势。HBM、高容量DIMM内存条及低功耗服务器DRAM的总收入达到100亿美元，较上一财年增长超过五倍。数据中心SSD业务在2025财年也实现了收入与市场份额的双重突破。
数据来源：美光，图表制作：CFM闪存市场
具体来看FY2025Q4财季(2025年6月-8月)美光DRAM和NAND营收：
DRAM收入90亿美元，占总收入的79%，环比增长27%。DRAM Bit出货量环比增长10%-13%，DRAM ASP环比增长低两位数百分比。
NAND收入23亿美元，占总收入的20%，环比增长5%。NAND Bit出货量减少中个位数百分比（4%-6%），NAND ASP环比增长高个位数百分比（7%-9%）。
美光各事业部具体情况：
Cloud Memory (CMBU)营收45.43亿美元，环比增长34%，占总收入的40%。在强劲的bit出货量增长驱动下，收入环比增长34%；HBM收入创下新的季度纪录。该部门毛利率为59%，环比提升120个基点，主要得益于成本降低。
Core Data (CDBU)营收15.77亿美元，环比增长3%，占总收入的14%。毛利率为41%，环比提升400个基点，主要受价格上涨和产品组合优化的推动。
Mobile and Client (MCBU)营收37.6亿美元，占总收入的33%。在DRAM出货量增加和价格改善的驱动下，该部门收入环比增长16%。毛利率为36%，环比提升12个百分点，主要原因是价格上涨和产品组合优化。
Auto and Embedded (AEBU)营收14.34亿美元，占总收入的13%；在bit出货量增长的驱动下，收入环比增长27%。毛利率为31%，环比提升540个基点，主要受价格上涨推动。
产能与资本开支
FY2025Q4财季(2025年6月- 8月)美光资本支出净额为49.3亿美元，2025全财年为138亿美元（计划资本支出为140亿美元）。美光本财年末持有现金、可流通投资及限制性现金共计119.4亿美元。
在该财季，美光爱达荷州新大型量产晶圆厂（ID1）达成关键建设里程碑后，获得了美国《芯片法案》资助款项，该厂首片晶圆预计将于2027年下半年产出。
美光已启动第二座爱达荷州晶圆厂（ID2）的设计工作，该厂将在2028年后提供新增产能。
在纽约州，美光已完成环境影响评估的初期阶段，并持续与州级及联邦机构协作推进场地平整准备工作。
在该财季，美光为日本晶圆厂安装了首台极紫外光刻（EUV）设备，以实现1γ制程能力，这将与其台湾晶圆厂的现有1γ产能形成互补。
从接收设备到完成安装的耗时创下全球EUV设备安装速度新纪录，彰显了美光对该设备的专业驾驭能力。
美光计划持续投资日本生产基地，以满足未来先进存储技术的需求。
持续的HBM封装测试投资将使美光能有效满足2026年日益增长的HBM产能需求。
新加坡HBM封装测试设施建设进展顺利，按计划将于2027年起开始贡献HBM供应能力。
截至该财季末，美光库存总额为84亿美元，环比下降3.72亿美元；库存周转天数为124天，环比减少15天，主要得益于DRAM比特出货量的强劲环比增长。目前DRAM库存天数已低于目标水平，NAND库存天数也实现环比改善。
数据来源：美光，图表制作：CFM闪存市场
终端市场
数据中心
在数据中心领域，美光预计2025日历年服务器总出货量将增长约10%，高于之前预期的中等个位数增长。其中，传统服务器的出货量预期已从持平转为中等个位数增长，此转变主要是和AI agents的增长以及由agents发起的传统服务器工作负载（它们代表用户执行任务）有关，传统服务器在企业中的应用持续增长也在推动额外需求的增长。除传统服务器外，AI服务器增长持续强劲，传统服务器和AI服务器的增长正在推动美光DRAM产品的强劲需求增长。
2025财年，美光的数据中心业务占公司总收入的比例达到创纪录的56%，毛利率达52%。HBM业务已连续多个季度保持强劲增长。第四财季，HBM收入增长至近20亿美元，这意味着年化营收接近80亿美元，这得益于HBM3E产品的销售增长。
提及技术进展，美光表示尽管HBM4 带宽和引脚速度的性能要求不断提高，但12层HBM4仍然按计划支持客户的平台升级，美光最近已向客户交付HBM4样品，该产品带宽超过2.8 TB/s，引脚速度超过11 Gbps。美光表示其成熟的1β DRAM工艺、创新且节能的 HBM4 设计、自主研发的CMOS基础芯片以及先进的封装技术，是HBM4的关键差异化优势所在。
对于HBM4E，美光将提供标准产品以及基础逻辑芯片的定制选项。目前，美光正在与台积电合作，为标准产品和定制产品生产HBM4E基础逻辑芯片。定制需要与客户进行密切协作，美光预计采用定制基础逻辑芯片的 HBM4E 将比标准 HBM4E带来更高的毛利率。美光HBM客户群已扩大至6家企业，并几乎与所有客户就2026日历年绝大多数HBM3E供应已达成定价协议，目前正在与客户积极讨论HBM4的规格和数量，预计将在未来几个月内达成协议，以售出2026日历年HBM总供应的剩余部分。
美光服务器LPDDR5在本财季内实现了超过50%的连续增长，营收创历史纪录。美光在与英伟达的密切合作下，率先将LPDRAM应用于服务器中。自英伟达在其GB产品系列中推出LPDRAM以来，美光一直是数据中心LPDRAM的独家供应商。另外，美光还凭借GDDR7产品也处于非常有利的位置，旨在提供超快性能，引脚速度超过40Gbps，同时具备业内最佳的能效，可满足某些未来 AI 系统的需求。
NAND方面，KV 缓存分层和向量数据库搜索与索引等 AI 推理应用正在推动对高性能存储的需求增长，而 AI 服务器的增长也带动了对大容量eSSD的需求增加。美光凭借以客户为导向、技术领先、垂直整合和执行力，在这些市场逐步扩大市场份额。美光通过推出业界首款G9 NAND数据中心产品（包括首次上市的 PCIe Gen6 SSD）增强了产品组合。短期内，美光预计数据中心存储市场将持续增长，HDD供应短缺将改善NAND需求并推动供需环境更加健康。
PC
基于Windows 10的生命周期结束和AI赋能PC的更广泛采用，正在推动PC需求前景的改善。预计2025日历年PC出货量将以中等个位数百分比增长，而此前预期是低个位数百分比增长。本财季，美光基于1γ的16Gb DDR5赢得了首个OEM客户认证，并开始批量出货。与此同时，美光成功将首批G9 NAND SSD产品通过了OEM客户的性能和主流类别认证。强大的SSD产品组合使美光在本财季和2025财年实现了创纪录的客户端SSD收入。
Mobile
美光预计2025日历年，智能手机出货量将保持低个位数增长的预期不变，支持AI的智能手机种类不断增加，将继续成为移动设备中 DRAM 容量增长的关键催化剂。
值得注意的是，在第二季度出货的旗舰智能手机中，有三分之一搭载了12GB甚至更高的内存容量。鉴于近期苹果、三星和其他智能手机 OEM 厂商新产品陆续发布，美光预计未来几个季度这一比例将会上升。
在第四财季，美光停止了未来移动NAND产品的研发，以便将资源和投资集中在产品组合中投资回报率更高的领域上，美光将继续支持现有的移动NAND产品。另外，美光仍致力于凭借其行业领先的产品组合服务于移动DRAM市场，于第四财季成功通过首批基于1β节点的第二代LP5X产品（10.7Gbps）OEM认证，容量分别为16GB和24GB。
汽车和工业市场
在汽车领域，ADAS和AI增强型座舱体验等趋势对内存和存储容量提出了更高的要求，使其成为行业中增长更快的部分。在嵌入式领域，美光预计无人机、先进机器人和 AR/VR 等物理 AI 将随着时间的推移成为更重要的需求增长驱动力。
本财季，汽车和工业需求强劲，超出了美光最初的预测。随着定价策略的加强和先进技术节点的更广泛采用，以及 DDR5 和 LPDDR5 产品的采用率不断提高，该业务盈利能力正在提升。另外，由于DDR4和LPDDR4等传统DRAM产品供应受限。6月美光宣布投资弗吉尼亚州工厂，以满足长期客户对D4和LP4的需求。
未来展望
美光预计2026财年第一财季（2025年9-11月）营业收入将达122-128亿美元，将再创新高；毛利率落在50.5%-52.5%区间。
美光预计2025日历年全球DRAM bit需求增长率为16%-19%，较此前预测有所上调。同时，预计2025日历年全球NAND bit需求增长率也将高于先前预期，目前预计11%-15%。美光2025日历年的bit供应增长率预计将低于非HBM DRAM和NAND的行业需求增长率。
强劲的数据中心需求（包括服务器装机量的增长）导致DRAM行业供应持续紧张，并改善了NAND市场状况。此外，终端市场需求面的扩大也进一步制约了DRAM供应。
在供应端，美光预计库存水平维持低位、行业为延长D4和LP4产品生命周期而放缓制程迁移进度、设备交付周期延长以及全球新建晶圆厂成本上升等因素，将共同限制2026年DRAM供应增长速度。预计2026年，全球DRAM供应将持续紧张，NAND市场状况也将进一步改善。中期来看，美光预计DRAM与NAND的行业bit需求增长率将维持在14%-16%。
来源：小林科技论