摘要：2025年9月14-19日，国际碳化硅及相关材料会议（ICSCRM） 在韩国釜山举行。作为全球碳化硅材料技术领域的盛会之一，此次展会汇聚了来自全球产业链的核心企业与顶尖科研机构。

2025年9月14-19日，国际碳化硅及相关材料会议（ICSCRM） 在韩国釜山举行。作为全球碳化硅材料技术领域的盛会之一，此次展会汇聚了来自全球产业链的核心企业与顶尖科研机构。

北京天科合达半导体股份有限公司（以下简称“天科合达”）携多款创新产品和前沿技术成果亮相展会，向国际业界充分展现了中国在碳化硅材料领域的领先实力与持续创新能力。

展位现场

天科合达8英寸低电阻碳化硅衬底

展会上，天科合达全球首次公开发布了8英寸低电阻碳化硅衬底，成为全场瞩目的技术焦点。该低电阻衬底可将电阻率控制在7-12mΩ·cm范围内，仅为常规N型衬底电阻率的一半。层错缺陷控制是低电阻产品研发中的关键挑战，天科合达科研团队经过持续技术攻关，成功解决了低电阻率条件下层错缺陷密度过高的行业难题。

低电阻率衬底是进一步提升碳化硅功率器件性能的关键基础材料之一。据研究人员测算，衬底电阻每降低1mΩ·cm，器件导通电阻可相应降低2–4%，从而显著减少大电流应用中的能量损耗，为800V电驱系统、高压快充、轨道交通、智能电网等高端应用场景提供坚实支撑。天科合达表示将率先在全球范围内推动该低电阻衬底的送样工作，助力下游客户提升产品性能。

除8英寸低电阻衬底外，天科合达还同步展示了在8英寸100微米厚外延片以及12英寸晶体生长技术方面的突破。

天科合达董事、副总经理、首席技术官刘春俊博士在Industrial Session上介绍8英寸&12英寸产品进展

碳化硅衬底累计销量突破100万片，成就全球市场重要里程碑

借助此次国际展会，天科合达同时宣布，其碳化硅衬底全球累计销量已突破100万片，成为中国首家实现这一里程碑的碳化硅材料企业。这一成绩不仅反映了市场对天科合达产品的高度认可，也体现出该公司在全球碳化硅供应链中日益增强的影响力。

天科合达表示，未来将继续坚持以技术创新驱动发展，以客户需求为导向，持续加大对碳化硅材料研发的投入，不断推进8英寸及12英寸产品的量产进程，与全球合作伙伴共同推动宽禁带半导体技术的革新与产业进步。

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来源：宽禁带联盟