摘要：在全球半导体市场的博弈中，中国企业从未停止突破的脚步。近期，长江存储技术有限公司（YMTC）传出重磅消息：正全力搭建一条完全采用中国本土设备的NAND闪存生产线，不仅要破解美国制裁带来的供应链困局，更计划在2026年底前将全球NAND市场份额提升至15%。这一
在全球半导体市场的博弈中，中国企业从未停止突破的脚步。近期，长江存储技术有限公司（YMTC）传出重磅消息：正全力搭建一条完全采用中国本土设备的NAND闪存生产线，不仅要破解美国制裁带来的供应链困局，更计划在2026年底前将全球NAND市场份额提升至15%。这一动作，与此前中芯国际的DUV光刻机突破、普莱诺的纳米压印技术进展形成呼应，共同勾勒出中国半导体自主化的清晰路径，也将给全球存储市场格局带来不小的震动。
破局制裁：全国产设备撑起NAND新生产线
自2022年底被列入美国“实体清单”后，长江存储就面临着先进设备断供的困境——原本依赖的美国应用材料、泛林集团等企业的工具，再也无法顺利获取。但这家中国存储巨头没有选择退缩，反而将“本土化”作为破局的核心战略，耗时数年整合国内设备资源，最终敲定了这条全链条国产化的NAND生产线。
按照计划，这条新生产线将在2025年下半年启动试生产，产能提升幅度相当惊人：每月晶圆投片量（WSPM）将从目前的约10万片，直接跃升至15万片；若后续良率能稳定下来，甚至有望突破20万片。要知道，晶圆投片量是衡量存储芯片产能的核心指标，20万片的月产能意味着长江存储将具备大规模供应NAND闪存的能力，足以在全球市场中占据一席之地。
更关键的是，这条生产线的“国产化基因”——从核心设备到关键环节，几乎全由中国企业主导：
- 刻蚀与CVD设备：由北方华创（Naura）和中微公司（AMEC）提供，这两家企业已是国内半导体设备领域的“排头兵”，其刻蚀机技术已能满足3D NAND制造的精密需求；
- 原子层沉积（ALD）与CVD设备：交给屹唐半导体（Piotech），ALD技术是3D NAND“堆叠层数”突破的关键，能帮助芯片实现更高的存储密度；
- 光刻设备：采用上海微电子装备（SMEE）的SSX600，尽管其90纳米的分辨率看似“不先进”，但对于NAND闪存而言，通过多重曝光等工艺，完全能满足300多层3D NAND的生产需求——这也证明了国产设备在特定领域的“实用价值”。
这条生产线的落地，不仅是长江存储的“生存之战”，更验证了中国半导体设备产业链的成熟度：过去被认为“卡脖子”的设备环节，如今已能串联成一条完整的生产线，支撑起先进存储芯片的制造。
技术硬实力：300多层3D NAND，追平国际水准
光有产能还不够，技术实力才是抢占市场的“硬通货”。长江存储此次瞄准的，是下一代3D NAND闪存——堆叠层数突破300层，这一技术水平已与三星、SK海力士等国际巨头站在同一梯队。
事实上，长江存储早已展现出其在3D NAND领域的研发实力：此前已成功展示232层的闪存技术，而此次新生产线将在此基础上进一步突破，目标是300多层的堆叠结构。3D NAND的“层数”直接决定存储密度——层数越多，芯片在相同体积下能容纳的存储单元就越多，成本也越低。以2TB的3D TLC（三级单元）和QLC（四级单元）SSD为例，长江存储计划推出的新产品，不仅容量大，接口速率还能达到4800 MT/s，这意味着数据读写速度更快，足以满足笔记本电脑、服务器等设备的高性能需求。
支撑这一技术突破的，是长江存储自研的“Xtacking”技术。与传统3D NAND技术相比，Xtacking技术能将芯片的“存储单元阵列”和“控制电路”分开制造，再通过键合技术拼接在一起，既提升了堆叠层数，又简化了制造流程，还能降低良率损失。这项技术让长江存储在3D NAND领域实现了“弯道超车”，也成为其与国际巨头竞争的核心优势。
从技术参数来看，长江存储已不再是“追赶者”：其232层3D NAND与美光的同层数产品性能相当，而即将量产的300多层产品，也与三星、SK海力士的最新技术同步。这意味着，未来消费者买到的国产SSD，在性能和容量上，将与国际品牌“无差别”。
市场野心：2026年15%份额，搅动全球存储格局
在全球NAND市场普遍“遇冷”的当下，长江存储的扩张计划显得格外“激进”——计划2026年底前将全球市场份额从目前的8%-10%提升至15%。这一目标看似乐观，但并非没有实现的可能。
先看当前的全球NAND市场格局：三星以约30%的份额领跑，SK海力士和美光各占约20%，剩下的30%由铠侠、西部数据及长江存储等企业瓜分。而最近一年，由于消费电子需求疲软，三星、SK海力士、美光等巨头纷纷选择“收缩战线”——三星削减10%-20%的资本支出，美光为提高盈利能力也减少投入，SK海力士则将精力更多放在HBM（高带宽内存）上，分散了对NAND的关注。
巨头的“退一步”，恰好给了长江存储“进一步”的机会。如果新生产线能按计划达产后，每月20万片的晶圆投片量，将让长江存储的产能大幅提升，进而快速抢占市场份额。更重要的是，国产设备的成本优势，可能让长江存储在价格上更具竞争力——在全球NAND供应过剩的背景下，更低的价格往往能吸引更多客户，比如国内的手机厂商、服务器厂商，甚至是海外的中小品牌。
分析师认为，长江存储15%的市场份额目标“可行”，但也面临挑战：首先是良率问题，试生产阶段的良率波动可能影响产能释放；其次是全球市场需求，如果消费电子需求持续低迷，即使有产能也可能面临“卖不出去”的风险；最后是美国的制裁压力——若长江存储扩张过快，不排除美国进一步收紧制裁的可能。
未来挑战与全球影响：中国存储的“突围之战”
长江存储的全国产NAND生产线，无疑是中国半导体自主化的重要一步，但要真正实现“突围”，仍需跨越几道坎。
第一个坎是良率稳定。尽管国产设备已能满足生产需求，但与国际先进设备相比，在稳定性和精细化程度上仍有差距，这可能导致初期良率偏低。良率直接影响成本——良率越低，每片芯片的制造成本就越高，若不能快速提升良率，长江存储的价格优势可能被抵消。
第二个坎是技术差距的长期追赶。目前国产光刻设备的最高水平是90纳米，虽然能满足3D NAND生产，但与ASML的EUV（极紫外）光刻技术相比，在逻辑芯片等更尖端领域仍无法企及。不过，对于NAND闪存而言，“产能优先于尖端技术”，短期内这一差距影响不大，但长期来看，仍需持续突破。
第三个坎是全球市场的竞争与审查。若长江存储真能拿下15%的全球份额，将直接冲击三星、美光等巨头的市场地位，可能引发更激烈的价格战；同时，美国也可能以“国家安全”为由，进一步限制长江存储的海外市场拓展，比如禁止其产品进入美国市场，或施压其他国家抵制。
但无论挑战如何，长江存储的这一动作，已给全球半导体市场带来深远影响：
- 对中国而言，这标志着半导体设备产业链从“单点突破”走向“系统集成”，为后续其他芯片领域的自主化提供了经验；
- 对全球消费者而言，长江存储的扩张可能带来更便宜的NAND闪存产品，比如SSD价格进一步下降，惠及普通用户；
- 对全球半导体格局而言，这将加速“两极分化”——西方的技术垄断被逐步打破，中国半导体生态系统的影响力不断提升。
从长江存储的全国产NAND生产线，到中芯国际的DUV光刻机测试，再到普莱诺的纳米压印技术，中国半导体企业正在用一个个“突破”，回应外界的制裁与质疑。长江存储的目标不仅是“活下去”，更是要在全球存储市场中占据一席之地，成为中国半导体自主化的“标杆”。2025年试生产、2026年冲击15%市场份额——这场中国存储的“突围之战”，值得我们期待。
来源：智能学院
