摘要：在半导体制造、薄膜沉积及新材料开发领域，残余气体分析（RGA）是保障工艺稳定性与产品可靠性的核心技术。爱柯锐（ACT）自主研发的PGT200M残余气体分析仪，基于十年质谱研发积淀，以高灵敏度、多场景适配性及国产化成本优势，成为半导体在线分析、材料放气率测试及电

在半导体制造、薄膜沉积及新材料开发领域，残余气体分析（RGA）是保障工艺稳定性与产品可靠性的核心技术。爱柯锐（ACT）自主研发的PGT200M残余气体分析仪，基于十年质谱研发积淀，以高灵敏度、多场景适配性及国产化成本优势，成为半导体在线分析、材料放气率测试及电子特气纯度检测的行业标杆设备。本文将从技术原理、应用场景及客户实践角度，全面解析其专业价值。

一、技术突破：PGT200M如何重新定义RGA性能

核心性能指标

EM模式：3.8 A/Pa（最小分压2×10⁻¹² Pa @256ms驻留时间），满足EPI工艺中痕量氧、碳污染监测需求。

FC模式：2.3×10⁻⁶ A/Pa，适配常规工艺气体（如N₂、Ar）快速检测。

质量数范围：1-200 amu（覆盖H₂、He、CO、CH₄等关键气体），分辨率

检测灵敏度：

耐高温设计：传感器支持150℃高温运行（EM模式），兼容材料放气率测试中的高温真空环境。

多模式灵活切换

双灯丝配置（氧化钇铱丝/钨丝）：氧化钇铱丝寿命达5000小时，钨丝模式成本降低40%，支持PVD/CVD工艺中长时间连续监测。

动态范围宽泛：最大工作压强6.7×10⁻² Pa，兼容低真空至中真空系统。

抗干扰能力

驻留时间算法优化：通过256ms动态采样，有效过滤背景噪声，提升在线气体分析的信噪比。

模块化气路设计：支持多路进样切换，避免交叉污染。

二、行业应用：从工艺控制到前沿研究

半导体制造

PVD RGA分析：监测溅射过程中Ar、H₂残留，优化薄膜致密性；

CVD RGA分析：检测SiH₄、NF₃分解产物，预防膜层缺陷；

RTP RGA分析：实时追踪高温退火工艺中的O₂、CO逸出，提升晶圆电学性能。

工艺优化：

污染控制：在EPI外延生长中，检测氧、碳杂质浓度至ppm级，确保器件良率。

材料科学研究

放气率测试：通过在线气体分析技术，量化高分子材料、纳米涂层在真空环境下的气体释放动力学，支撑航天、光学器件材料选型。

渗透率研究：结合真空泵系统，测定材料在极端温度（-196℃~300℃）下的气体渗透系数。

电子特气管理

纯度检测：对NH₃、PH₃等特气中H₂O、O₂杂质进行ppm级检测，避免晶圆中毒；

泄漏诊断：通过残余气体分析定位特气管路微泄漏点，减少工艺波动。

三、客户实践：技术落地的实证价值

中国科学院上海微系统所：在分子束外延（MBE）系统中集成PGT200M，将GaAs薄膜缺陷率降低22%；

中电科41所：通过实时监测集成电路工艺中的残余气体组分，优化CVD沉积参数，提升膜层均匀性15%；

北京大学电子工程系：利用材料放气率分析数据，开发出耐高温石墨烯薄膜制备工艺，导热系数提升30%。

四、操作与维护：专业级设备的全生命周期管理

标准化流程

开机自检：系统自动校准离子源电压与检测器增益，确保基线稳定性；

标气校准：支持NIST可追溯标气（如99.999% N₂/O₂混合气），每季度校准一次，误差率

关机维护：高温烘烤（300℃）清除腔室残留，延长灯丝寿命。

技术支援体系

远程诊断：通过以太网接口实时传输设备状态，48小时内响应故障；

定制化服务：根据客户需求开发专用分析算法（如动态气体分压趋势预测）。

五、为何选择PGT200M残余气体分析仪（RGA）？

国产化替代价值：相比进口设备，采购成本降低30%，备件供应周期缩短至2周；

全工艺链覆盖：支持从研发（实验室级）到量产（8英寸晶圆线）的多场景需求；

合规性保障：符合SEMI S2/S8安全标准，数据可追溯性满足ISO 9001认证要求。

爱柯锐PGT200M残余气体分析仪（RGA）凭借自主核心技术、严苛的工业设计及成熟的行业验证，已成为半导体、新材料领域高端装备的国产化标杆。无论是工艺优化、失效分析还是前沿研究，PGT200M均以精准数据赋能客户突破技术瓶颈。

来源：看遍天下风景