摘要:2024年11月28日,专门从事散热材料的初创公司U-MAP株式会社与冈本硝子株式会社宣布建立AlN(氮化铝)陶瓷基板的量产体系,并达成资本和业务合作协议。由此,目前已经建立了月产3万片4.5英寸AlN基板的生产体系,并开始销售产品。
2024年11月28日,专门从事散热材料的初创公司U-MAP株式会社与冈本硝子株式会社宣布建立AlN(氮化铝)陶瓷基板的量产体系,并达成资本和业务合作协议。由此,目前已经建立了月产3万片4.5英寸AlN基板的生产体系,并开始销售产品。
U-MAP和冈本硝子两家公司一直在使用 U-MAP 的专有技术“纤维状氮化铝单晶(Thermalnite)”开发下一代电子产品所需的 AlN 基板。通过结合冈本硝子的先进陶瓷制造技术和U-MAP的创新散热材料技术,成功量产了具有与金属铝相同高导热率的电绝缘AlN基板。这将有助于解决LED和LD(激光二极管)等光学领域以及电力电子领域中的热问题。此外,随着生成AI的普及,数据处理量不断增加,使得数据中心内部高速通信环境中的热管理变得愈发重要。这种AlN基板具备优良的热导性和电绝缘性,非常适合作为数据中心内光通信LD的热管理解决方案。未来,两家公司计划扩展产品线,加强针对数据中心市场的产品供应体系。
目前,两家公司正致力于量产下一代高强度 AlN 基板,其机械强度几乎是传统 AlN 基板的两倍。该新产品计将有助于解决基于SiC/GaN的下一代功率器件的热问题,该器件在5G/6G通信模块和可再生能源领域备受关注。目前4.5英寸尺寸样品已向国内外电子企业提供,基于此次建立的量产和质量保证体系,两家公司计划将下一代高强度AlN基板全面推向市场。
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来源:半导体芯科技SiSC