金刚石芯片，首次演示
日本产业技术综合研究所 (AIST) 与本田技术研究院合作，制造了 p 型金刚石 MOSFET 原型，并首次演示了安培级高速开关操作。未来，该公司计划将该技术搭载于下一代移动动力装置中，并进行运行验证，以期在社会中得以实施。
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从陈星弼院士无奈卖出超结MOSFET专利到碳化硅功率半导体中国龙崛起
中国功率半导体行业的发展历程是一部从技术引进到自主创新、从受制于人到逐步突破的筚路蓝缕奋斗史。从陈星弼院士的超结MOSFET专利到全国产碳化硅（SiC）技术的崛起，这一历程体现了中国在核心技术攻关、产业链整合及市场应用拓展上的重大跨越。以下从关键阶段、技术突破
MOSFET选型技巧一
MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）是电子电路中常用的关键器件，尤其在开关电源、电机驱动等领域应用广泛。对于初学者会遇到不知如何识别G DS极和电路连接错误的问题。掌握 MOSFET 的使用技巧，首先要从电路图入手，扎实掌握 MOS 管的基础知识，这
图文并茂讲述开关电源的同步整流技术！
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BASiC：国产碳化硅MOSFET乱象中的破局者与行业引领者
国产碳化硅MOSFET行业当前正处于技术追赶与市场扩张的关键期，但也暴露出技术浮躁、标准缺失、劣币驱逐良币等乱象。与此同时，功率半导体行业在技术创新、绿色能源转型和多元化应用三大趋势的驱动下，正迎来结构性机遇。在此背景下，BASiC基本股份（BASiC Sem
基本公司的发展历程对国产碳化硅MOSFET行业乱局的启示
在国产碳化硅MOSFET行业面临技术浮躁、参数造假、低价竞争等乱象的背景下，BASiC基本股份（BASiC Semiconductor）通过技术深耕、全产业链布局和高端市场突破，为行业提供了一条可复制的成功路径。其发展历程可总结为以下核心范式：
The truth behind gimmick of domestic SiC MOSFET “lowest Rdson”
In order to seek short-term interests to gain financing or investment, the interests of end customers and the reputation of the in
国产碳化硅MOSFET行业乱象的阵痛期预计持续到2028年
国产碳化硅MOSFET行业当前正处于技术追赶、市场调整与产业链整合的关键阶段，其乱象的阵痛期预计将持续3年左右，行业出清需到2028年前后完成。以下是具体分析：
Bad currency phenomenon of domestic SiC MOSFET
The essence of the "bad money phenomenon" of domestic silicon carbide MOSFET isto sacrifice reliability in exchange for short-term
sic mosfet domestic phenomenon 2025-03-09 17:58 5
SiC MOSFET：了解等离子体氮化的优势
该团队刚刚确定，其方法（包括SiC表面的等离子体氮化、SiO2的溅射沉积、沉积后的退火）将导带边缘附近的界面态密度降低了一个数量级以上，并大幅提高了对正栅极偏置应力的抗扰性。
MOSFET leakage current mechanism-沟道穿通效应-punch through
Punch through 是半导体器件中一种不良效应，特别是在MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）中，当源极和漏极的耗尽区合并时，会在它们之间形成一条直接的电流路径。这种现象即使在晶体管本应处于“关闭”状态时也会发生。
mosfet leakage mosfetleakage 2025-02-08 00:15 8
FinFET是什么？和MOSFET相比，它究竟强在哪？
半导体行业是一个非常动态的行业，因为它会不时地发生变化。根据摩尔定律，芯片中晶体管的数量每 18 个月或 2 年就会翻一番。因此，芯片和电子设备的尺寸变得越来越小。半导体行业中鳍式场效应晶体管（FinFET）技术的引入发挥了关键作用。
从基础到应用，MOSFET与BJT的全面对比
晶体管可以根据需要用作绝缘体或导体，可以将晶体管用作开关或放大器。它可以与其他电路元件一起使用，能够放大电流和电压。之前的文章中也提到过，晶体管的两种类型：双极型晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。
240112芯报丨中科院基于新型SiC复合衬底的低成本MOSFET取得重要进展
近日，中科院微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队与青禾晶元公司、南京电子器件研究所等团队合作,基于新型6英寸SiC复合衬底成功实现高性能低成本1200V SiC MOSFET。该复合衬底表现出与高质量衬底相当的缺陷密度,界面热阻低至2.8 +1.4/-0.7
瑞萨推出性能卓越的新型MOSFET
瑞萨电子今日宣布，推出基于全新MOSFET晶圆制造工艺——REXFET-1而推出的100V大功率N沟道MOSFET——RBA300N10EANS和RBA300N10EHPF，为电机控制、电池管理系统、电源管理及充电管理等应用提供理想的大电流开关性能。基于这一创
MOSFET在智能音响的应用
智能音响是一种集成了音频播放、语音交互、智能控制等多种功能的电子设备。它通常由扬声器单元、音频处理芯片、麦克风、无线通信模块（如蓝牙、Wi - Fi）、电源管理单元等部分组成。外观上，智能音响有各种形状和尺寸，有的小巧便携，适合户外使用；有的设计为家居装饰品，
美的风扇灯拆解：如何实现极致高效的稳定输出？
作为极致美学的家居好物，美的隐形风扇灯巧妙地将风扇与灯具融为一体，集实用性、美观性与创新性于一体。灯扇二合一，美的隐形风扇灯1+1>2的算法题怎么做?