英思特:针对您提到的内容,公司经核实后认为该说法不属实
投资者提问:传闻公司在氮化镓蚀刻技术方面有深入探索,其开发了多种氮化镓蚀刻方法,如通过使用乙二醇作为KOH和NaOH的溶剂,开发出将晶体表面蚀刻为III族氮化物的两步法,还研究了用于锐化GaN垂直的湿化学DE工艺,并将其应用扩展到AlGaN尖端和c平面AlGa
投资者提问:传闻公司在氮化镓蚀刻技术方面有深入探索,其开发了多种氮化镓蚀刻方法,如通过使用乙二醇作为KOH和NaOH的溶剂,开发出将晶体表面蚀刻为III族氮化物的两步法,还研究了用于锐化GaN垂直的湿化学DE工艺,并将其应用扩展到AlGaN尖端和c平面AlGa
金融界 2025 年 5 月 13 日消息,国家知识产权局信息显示,朗姆研究公司取得一项名为“针对 3D NAND 集成具有改善的蚀刻选择性的氮化物膜”的专利,授权公告号 CN113302716B,申请日期为 2019 年 10 月。