铠侠展示新闪存技术和铠侠 LC9 系列 SSD 固态硬盘
首先,铠侠展示了其第八代 BiCS FLASH 3D 闪存技术,为不断发展的云计算和大规模 AI 模型提供高效可靠存储解决方案。
首先,铠侠展示了其第八代 BiCS FLASH 3D 闪存技术,为不断发展的云计算和大规模 AI 模型提供高效可靠存储解决方案。
据恒州诚思调研统计,2024年全球全闪存阵列收入规模约1304.3亿元,到2031年收入规模将接近4086.3亿元,2025-2031年CAGR为18.4%。
金融界 2025 年 3 月 19 日消息,国家知识产权局信息显示,旺宏电子股份有限公司申请一项名为“存储器元件及其形成方法”的专利,公开号 CN 119629997 A,申请日期为 2023 年 9 月。
据en.antaranews 3月19日东京报道,日本铠侠集团(KIOXIA)近日在NVIDIA GTC 2025大会上展示了其高性能闪存和SSD解决方案在人工智能(AI)应用中的关键作用。作为全球内存解决方案的领导者,铠侠强调了其存储技术如何帮助组织优化AI
近日,一年一度的CFMS | MemoryS 2025存储峰会在深圳举办,快科技借机采访了铠侠电子的多位高管,共同探讨了对闪存行业发展的思考,以及铠侠的发展重点。
随着科技的飞速发展,闪存和内存成为了我们日常生活中不可或缺的存储技术。无论是手机、相机等移动设备,还是电脑等传统计算设备,都依赖于这两种存储介质来存储和读取数据。那么,闪存和内存究竟有何不同呢?
多家NAND闪存原厂已提前布局,计划在4月上调产品报价,随着多家存储巨头的集体行动,NAND闪存的价格涨幅超过先前的市场预期。
在当今数字化时代,闪存已经成为我们日常生活中不可或缺的一部分。无论是手机、相机、U盘还是固态硬盘,闪存技术都在默默地为我们存储和读取数据。那么,闪存是如何实现数据存储的呢?
#闪存罕见涨价# 存储芯片迎来半导体周期复苏以来的首波涨价。日前,有消息称全球知名存储芯片厂商Sandisk(闪迪)发布涨价通知函显示,计划从4月1日起对所有面向渠道和消费者客户的NAND Flash(闪存)产品涨价,涨幅将超过10%。多家存储芯片上市公司的相
格隆汇3月10日|据一财,存储芯片迎来半导体周期复苏以来的首波涨价。日前,有消息称全球知名存储芯片厂商Sandisk(闪迪)发布涨价通知函显示,计划从4月1日起对所有面向渠道和消费者客户的NANDFlash(闪存)产品涨价,涨幅将超过10%。多家存储芯片上市公
存储芯片迎来半导体周期复苏以来的首波涨价。日前,有消息称全球知名存储芯片厂商Sandisk(闪迪)发布涨价通知函显示,计划从4月1日起对所有面向渠道和消费者客户的NANDFlash(闪存)产品涨价,涨幅将超过10%。多家存储芯片上市公司的相关负责人向记者确认了
日前,有消息称全球知名存储芯片厂商Sandisk(闪迪)发布涨价通知函显示,计划从4月1日起对所有面向渠道和消费者客户的NAND Flash(闪存)产品涨价,涨幅将超过10%。
长江存储(YMTC)已经开始出货第五代3D TLC NAND闪存,共有294层,以及232个有源层。长江存储已经成功地将密度提高到行业相同的水平,实现了最高的垂直栅密度,也是现阶段商业产品中最高的,使其成为了全球NAND闪存市场的有力竞争者。
2025 年 2 月 7 日,中国移动通信有限公司发布《关于杭州宏杉科技股份有限公司负面行为处理结果》。
中国一直是芯片进口大国,从数据上来看,中国每年进口的芯片价值,占全球芯片产价值的60-70%,之前每年的金额超过4000亿美元,最近几年回落,也是接近4000亿美元。
在2025年CES全球科技盛会上,NAND闪存领域的巨头KIOXIA(铠侠)再次展现了其在存储技术创新领域的领导地位。从消费电子到数据中心,再到人工智能和智能汽车,铠侠通过一系列突破性的产品和技术,揭示了闪存如何在数字优先的时代中重新定义存储的边界。
市面上的全闪存NAS型号极为稀少,能看到的只有10款,目前只有威联通企业级的TS-410E、TS-i410X、TBS-h574TX、TS-h3077AFU、群晖企业级的FS6400、FS3600、FS3410、FS2500,再就是绿联的DXP480TPlus,
在计算机硬件领域,闪存(Flash Memory)和内存(Memory)是两种至关重要的存储组件。尽管它们都是用于存储数据,但在工作原理、应用场景、性能特性等方面却存在着显著的区别。本文将深入解析闪存与内存的关键差异,帮助读者更好地理解和选择适合自己的存储设备
电子发烧友网报道(文/黄晶晶)在人工智能、数据中心、新能源汽车、智能终端等应用的带动下,存储新技术新产品加速到来。例如数据中心市场,不仅是高带宽HBM持续进阶,HBM3E到HBM4的演进,企业级SSD也因AI训练和推理所需数据量的增加而不断扩大容量,以至于12
国家知识产权局信息显示,联和存储科技(江苏)有限公司取得一项名为“在NAND闪存中烧录文件系统的方法及电子设备、存储介质”的专利,授权公告号 CN 118069167 B,申请日期为 2024年2月。