MIT研发新半导体制造技术：3D芯片无需硅晶圆，实现“长高”
计算机芯片的晶体管密度正逐渐逼近物理学的极限边缘，传统的制造方法已经难以在芯片那微小的表面上继续添加更多的晶体管。面对这一困境，芯片制造商们开始将探索的目光投向了一个全新的维度——垂直叠加，不再仅仅局限于二维平面的扩展，而是向三维空间寻求突破。
硅晶圆
用于碳化硅晶圆表征的非接触式电容-电压测量技术
对SiC日益增长的需求:电力电子领域对SiC材料的需求不断增长，这推动了对精确有效的SiC晶圆表征方法的需求。外延晶圆技术对于SiC器件制造至关重要，关键特性（如掺杂）的晶圆内均匀性对于高良率至关重要。
可“长高”3D芯片：MIT开发无需硅晶圆基底的半导体制造方法
计算机芯片的晶体管密度正逐步接近物理极限，传统方法已难以在芯片表面继续增加更多晶体管。因此，芯片制造商开始将目光投向垂直叠加的全新方向，而不再局限于平面扩展。
美国万万没想到，全球12寸晶圆厂，一半建在中国大陆了
芯片是由硅晶圆制造出来的，通过光刻技术，将芯片的设计电路图，刻录在硅晶圆厂，再通过一系列工艺，最后制造成整块的大芯片。
日本硅晶圆生产商SUMCO感叹：长江存储不买我们的晶圆了！
长江存储使用晶栈Xtacking技术制造3D NAND闪存，外围电路和存储阵列在单独的晶圆上完成制造，然后进行晶圆键合。根据SUMCO的数据，长江存储对国产晶圆的消耗量达到40万到50万片每年。
长江存储制造国产高性能闪存颗粒，多采用国产硅晶圆 少日本原料
长江存储制造国产高性能闪存颗粒，更多地采用国产硅晶圆，少用日本产品。据外电消息，长江存储在制造国产高性能闪存颗粒时，更多地采用了国产硅晶圆，减少了对日本产品的依赖.日本晶圆大厂SUMCO董事长兼首席执行官桥本真幸承认，其与长江存储之间的业务已大幅下降，长江存储