氮化铝——最“时髦”的基板材料
中国粉体网讯进入21世纪以来,随着电子技术的迅猛发展,电子元器件的集成程度与组装密度不断提高,散热成为影响器件性能与可靠性的关键。以大功率LED封装为例,输入功率只有约20%~30%转化为光能,而剩下的70%~80%则转变成为热量,大量的热量聚集,后果很严重。
中国粉体网讯进入21世纪以来,随着电子技术的迅猛发展,电子元器件的集成程度与组装密度不断提高,散热成为影响器件性能与可靠性的关键。以大功率LED封装为例,输入功率只有约20%~30%转化为光能,而剩下的70%~80%则转变成为热量,大量的热量聚集,后果很严重。
近年来,随着半导体制程技术的不断提升,工艺节点不断缩小,单个芯片上有超过十亿个晶体管。先进制程的发展伴随着半导体工业对于良品率(Yield) 和成本的追求。
2024年11月28日,专门从事散热材料的初创公司U-MAP株式会社与冈本硝子株式会社宣布建立AlN(氮化铝)陶瓷基板的量产体系,并达成资本和业务合作协议。由此,目前已经建立了月产3万片4.5英寸AlN基板的生产体系,并开始销售产品。
在混合动力及电动汽车、电力和光伏 逆变器等多种需求的推动下,SiC和GaN功率半导体市场规模持续增长,陶瓷基板的结构和材料选择对功率半导体器件的性能和应用领域有重要影响。近日,第十届国际第三代半导体论坛&第二十一届中国国际半导体照明论坛(IFWS&SSLCHI