金融界 2024 年 12 月 25 日消息，国家知识产权局信息显示，联和存储科技（江苏）有限公司申请一项名为“NAND 闪存存储装置及电子设备”的专利，公开号 CN 119173038 A，申请日期为 2024 年 11 月。

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国家知识产权局信息显示，联和存储科技（江苏）有限公司取得一项名为“在NAND闪存中烧录文件系统的方法及电子设备、存储介质”的专利，授权公告号 CN 118069167 B，申请日期为 2024年2月。

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近期，科技巨头三星公司在NAND Flash闪存技术领域取得了重大进展，成功研发出400层堆叠的NAND Flash技术，并已着手进行大规模生产。这一消息标志着三星在存储技术领域的又一次飞跃，也预示着NAND Flash市场的竞争格局将迎来新的变化。

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近期，韩国媒体SEDaily发布了一则关于三星电子的最新研发进展。据悉，三星在其内部研发机构已经成功完成了4XX层第10代3D V-NAND闪存的开发工作。这一技术的研发成果，标志着三星在闪存技术领域又迈出了重要的一步。

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根据BusinessKorea的报道，SK海力士在NAND技术方面的优势已经超越了三星，特别是在"单元堆叠"技术方面取得了优势，并且正在向三星在 NAND 闪存市场的宝座发起冲击。SK Hynix 最新的"321 层"NAND 闪存芯片将大幅提升性能，这要归功

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