嘉德半导体取得NAND闪存芯片TSOP封装设备专利 有效提高闪存芯片TSOP封装速度
国家知识产权局信息显示,深圳市嘉德半导体技术有限公司取得一项名为“NAND闪存芯片TSOP封装设备”的专利,授权公告号CN222883505U,申请日期为2024年08月。
国家知识产权局信息显示,深圳市嘉德半导体技术有限公司取得一项名为“NAND闪存芯片TSOP封装设备”的专利,授权公告号CN222883505U,申请日期为2024年08月。
【消息称#三星等5大闪存原厂集体减产10至15%#,NAND 闪存合约价 2025Q2 预估回升 3~8%】5 月 20 日消息,工商时报今天(5 月 20 日)发布博文,报道称三星、SK 海力士、美光、铠侠和西部数据全球五大 NAND 闪存原厂计划 2025
根据BusinessKorea的报道,SK海力士在NAND技术方面的优势已经超越了三星,特别是在"单元堆叠"技术方面取得了优势,并且正在向三星在 NAND 闪存市场的宝座发起冲击。SK Hynix 最新的"321 层"NAND 闪存芯片将大幅提升性能,这要归功