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铠侠计划五年内将产量翻一番以满足AI数据中心对NAND需求

日本NAND闪存巨头铠侠（Kioxia）公布其中长期业务计划，旨在通过扩大其在日本的两家主要工厂——四日市工厂和北上工厂——的生产线，到2029财年将产能较2024财年翻一番，以满足人工智能数据中心对NAND闪存日益增长的需求。此外，铠侠计划于2026年下半年

NAND闪存领域的领军企业铠侠KIOXIA，在近期举行的公司战略会议上，公布了其面向人工智能（AI）时代的长期发展蓝图。该战略聚焦于满足AI应用对存储速度及性能的极致需求，其中一项关键举措是开发一款专为AI设计的固态硬盘（SSD）。

根据TrendForce最新的内存现货价格趋势报告，DRAM方面，DDR5价格已出现放缓迹象，预计2025年第三季度DRAM整体价格涨幅将有所减缓。NAND闪存方面，现货价格自2月下旬以来上涨，目前已达到相对高位，购买动能正在降温。具体情况如下：

国家知识产权局信息显示，联和存储科技（江苏）有限公司取得一项名为“NAND闪存存储装置及电子设备”的专利，授权公告号CN119173038B，申请日期为2024年11月。

在AI时代，除了GPU以及CPU厂商大显风头之外，存储厂商也迎来春天，各种超大容量的AI模型需要存储在超大容量的SSD之中，同时更低的延时以及功耗也让新一代SSD成为数据中心的香饽饽。存储厂商们也乐意加速研发新一代的存储设备，来为客户提供兼顾高性能以及低能耗的

国家知识产权局信息显示，深圳市嘉德半导体技术有限公司取得一项名为“NAND闪存芯片TSOP封装设备”的专利，授权公告号CN222883505U，申请日期为2024年08月。

【消息称#三星等5大闪存原厂集体减产10至15%#，NAND 闪存合约价 2025Q2 预估回升 3~8%】5 月 20 日消息，工商时报今天（5 月 20 日）发布博文，报道称三星、SK 海力士、美光、铠侠和西部数据全球五大 NAND 闪存原厂计划 2025

根据BusinessKorea的报道，SK海力士在NAND技术方面的优势已经超越了三星，特别是在"单元堆叠"技术方面取得了优势，并且正在向三星在 NAND 闪存市场的宝座发起冲击。SK Hynix 最新的"321 层"NAND 闪存芯片将大幅提升性能，这要归功