无锡芯卓湖光申请LDMOS器件结构及其制备方法专利,可解决LDMOS器件场板加工工艺步骤繁琐的问题
国家知识产权局信息显示,无锡芯卓湖光半导体有限公司申请一项名为“一种LDMOS器件结构及其制备方法”的专利,公开号CN 119789484 A,申请日期为2024年12月。
国家知识产权局信息显示,无锡芯卓湖光半导体有限公司申请一项名为“一种LDMOS器件结构及其制备方法”的专利,公开号CN 119789484 A,申请日期为2024年12月。
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