cpu是处理器吗？
在计算机技术的浩瀚宇宙中，CPU（Central Processing Unit，中央处理器）无疑是那颗最为璀璨的星辰。它作为计算机系统的“大脑”，承担着执行指令、处理数据、控制运算等核心任务。然而，对于许多初学者或非专业人士来说，CPU与处理器这两个概念往往
存储单元
端侧智能化，存储分几羹？
多家存储产业公司高管对21世纪经济报道记者表示，作为存储产业的重要下游支撑，手机和PC市场今年预期温和复苏。同时，新形态AI终端产品的出现，以及一体机等企业级计算部署的需求，都会引发新增长空间。
端侧智能化，存储分几羹？丨算力网风云㉒
多家存储产业公司高管对21世纪经济报道记者表示，作为存储产业的重要下游支撑，手机和PC市场今年预期温和复苏。同时，新形态AI终端产品的出现，以及一体机等企业级计算部署的需求，都会引发新增长空间。
为了1000层闪存，拼了！
近日，由Lam Research、科罗拉多大学博尔德分校和美国能源部普林斯顿等离子体物理实验室（PPPL）的科学家们联手开发的创新蚀刻工艺，使3D NAND蚀刻速度翻倍，精度也得到提高，为实现更密集、更高容量的内存存储奠定了基础，为3D NAND闪存技术的进一
三星的这类存储芯片，涨飞了
最近，芯片现货市场虽然有单，但总体来说不算火热，但是存储市场却格外热闹，尤其是三星的eMMC存储芯片，传出了供不应求，价格疯涨的声音。
三星向长江存储“交学费”：一场“倒反天罡”的大戏
它能存储各种数据资源，决定着手机能存多少照片、电脑能加载多快的程序，甚至关系着AI大模型和自动驾驶的“记忆容量”，有着非常强的战略作用。2024年，全球芯片市场销售额首次超过6000亿美元，其中逻辑产品占比最大（2126亿美元），内存产品排名第二（1651亿美
三星向长江存储“交学费”：一场“倒反天罡”的大戏！
它能存储各种数据资源，决定着手机能存多少照片、电脑能加载多快的程序，甚至关系着AI大模型和自动驾驶的“记忆容量”，有着非常强的战略作用。2024年，全球芯片市场销售额首次超过6000亿美元，其中逻辑产品占比最大（2126亿美元），内存产品排名第二（1651亿美
重磅 | 赛迪发布《先进计算产业发展研究报告（2024版）》
计算是信息产业的基础和核心，是数字经济时代新质生产力的典型代表，是数字社会生力变革演进的核心驱动力。计算与信息技术相生相伴，由结绳、算盘、计算器、机械计算机逐步发展至今，每一次计算的突破都推动工业化加速和人类文明的演进，孕育了新的经济模式和社会发展形态。当前全
DRAM：一文读懂DRAM的工作原理与应用
动态存储，DRAM 需要不断地刷新才能保持数据，因为它是利用电容存储电荷的原理来保存数据，而电容会随着时间逐渐放电，所以需要定期刷新以补充电荷，维持数据的稳定。
实现大容量闪存的多级细胞技术是什么？
在闪存中，“1”或“0”被存储，具体取决于电流是否在内存单元中流动。此外，存储单元控制栅极电压（Vcg）越高，电流流动就越容易。电流流动的控制栅极电压的下限称为“阈值电压”。
什么是NAND闪存？
你知道什么是闪存吗？闪存是一种存储数据的半导体。它被用于智能手机和我们周围的许多其他电子设备。KIOXIA于1987年发明了世界上第一个NAND闪存，并且仍然是开发和制造的领先公司之一。在所有类型的闪存中，NAND闪存是今天世界上使用最广泛的内存。
闪存和内存的区别是什么？
在计算机硬件领域，闪存（Flash Memory）和内存（Memory）是两种至关重要的存储组件。尽管它们都是用于存储数据，但在工作原理、应用场景、性能特性等方面却存在着显著的区别。本文将深入解析闪存与内存的关键差异，帮助读者更好地理解和选择适合自己的存储设备
MRAM，三项新进展
IEDM是全球最大的半导体器件技术与工艺技术国际学术会议，于2024年12月11日闭幕。这次也有不少值得关注的讲座（研究论文）。在本文中，我们将介绍与磁存储器（MRAM）相关的三项研究成果。
迈向3D DRAM的第一步
由于通过堆叠200多层实现了单片三维加工工艺，闪存的容量取得了令人惊叹的进步，未来几代产品有望达到1000层。但同样重要的动态随机存取存储器（DRAM）也已经实现了类似可量产的三维架构。然而，要找到一种足够大的电荷存储方式（比如电容器）却一直颇具难度。
金刚石存数据？中国科学家新突破！
中国粉体网讯中国科学技术大学中国科学院微观磁共振重点实验室杜江峰、王亚、夏慷蔚等人在光学信息存储领域取得重要进展，提出并发展基于金刚石发光点缺陷的四维信息存储技术，具备面向实际应用所需高密度、超长免维护寿命、快速读写等关键特性，有望为“数据大爆炸”信息时代所亟
格科微电子取得 ADC 动态逻辑翻转电路、字线电压选择电路及存储单元电路专利
金融界 2024 年 12 月 4 日消息，国家知识产权局信息显示，格科微电子（上海）有限公司取得一项名为“ADC 动态逻辑翻转电路、字线电压选择电路及存储单元电路”的专利，授权公告号 CN 106657834 B，申请日期为 2016 年 12 月。
六年技术差距？中国芯片逆袭国际巨头，实现弯道超车，引发关注！
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