nanosheet技术

2纳米Nanosheet技术及其以后的选择性层减薄实现多阈值的技术

随着半导体器件不断缩小，在性能和功耗之间取得平衡变得越来越具有挑战性。当晶体管尺寸缩小到2纳米及更小时，Nanosheet技术已经逐渐取代鳍式场效应晶体管(FinFET)架构。本文探讨了通过选择性层减薄技术实现多阈值电压解决方案的创新方法[1]。