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TEL(东京电子 )超越1nm

将涵盖那些能够推动逻辑晶体管和互连技术持续向1nm节点及更先进制程演进的工艺技术。衡量逻辑密度的关键指标是 “逻辑单元宽度 × 逻辑单元高度” 的乘积。栅极间距的微缩是逻辑单元宽度微缩的关键因素。为实现这一点，栅极长度、栅极侧壁宽度和接触特征尺寸的微缩是必要的