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深圳市金易微半导体取得一种功率器件 MOS 堆叠封装 Bumpless 引线键合结构专利，减小整个芯片封装的体积

金融界 2025 年 3 月 31 日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市金易微半导体有限公司取得一项名为“一种功率器件 MOS 堆叠封装 Bumpless 引线键合结构”的专利，授权公告号 CN 222690682 U，申请日期为 2024 年 5 月。