我国首创2英寸级固–液–固法 InSe 晶圆，引领低功耗芯片新时代 近日，行业专家团队摘得国际权威期刊《Science》封面重磅成果：我国首创“固–液–固”晶体沉积技术，成功制备2英寸晶圆尺寸的 2D 硒化镓铟（InSe）半导体材料，并制备高性能晶体管，全面超越传统硅器件未来技术指标，标志着 InSe 有望开启后硅芯片时代的蓄 芯片 晶圆 低功耗 inse晶圆 inse 2025-08-05 07:17 2