硅碳负极材料技术突破:鑫华半导体新专利解析 2025年5月20日,国家知识产权局公开数据库显示,江苏鑫华半导体科技股份有限公司与徐州金龙湖泛半导体材料研究有限公司联合提交了一项名为“硅碳负极材料及其制备方法和电池”的专利申请(公开号:CN120004265A,申请日期:2024年12月)。(来源:国家知 半导体 负极 硅碳负极 鑫华 鑫华半导体 2025-06-21 00:23 2