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近期,苏州市人社部门首次推出“苏城技能共享学堂”,整合全市高技能人才公共实训基地、技能大师工作室等载体,由各行业领域的“顶尖技能大咖”,定制化开发一批代表最前沿技术的课程,面向社会免费开放!
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苏州人社部门近期首次推出苏城技能共享学堂,首批推出72门“专精新”课程,涵盖人工智能、数字技能、生产制造、医疗器械等产业最前沿、最实用的知识技能。有意愿提升技能的劳动者,可扫描下方二维码查看具体信息,抓紧报名参加免费培训,名额有限。
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对超薄晶圆有需求的市场正在不断扩大。一个由12个DRAM芯片和一个基础逻辑芯片组成的HBM模块的总厚度,仍小于一片原生硅晶圆的厚度。在为人工智能应用组装扇出型晶圆级封装以及先进的2.5D和3D封装方面,薄晶圆也起着关键作用,而这些人工智能应用的增长速度比主流I
近日,北方华创正式发布公司首款12英寸电镀设备(ECP)——Ausip T830。该设备专为硅通孔(TSV)铜填充设计,主要应用于2.5D/3D先进封装领域。该产品标志着北方华创正式进军电镀设备市场,并在先进封装领域构建了包括刻蚀、去胶、PVD、CVD、电镀、
近日,北方华创正式发布公司首款12英寸电镀设备(ECP)——Ausip T830。该设备专为硅通孔(TSV)铜填充设计,主要应用于2.5D/3D先进封装领域。
2025年3月25日,曦智科技正式发布全新光电混合计算卡“曦智天枢”。曦智科技创始人兼首席执行官沈亦晨博士在发布现场表示:“曦智天枢首次实现了光电混合计算在复杂商业化模型中的应用,是曦智科技光电混合算力技术在产品化和商业化进程中的重要突破。我们坚信,光电混合将
对电子元件三维 (3D) 集成的需求正在稳步增长。尽管存在巨大的加工挑战,硅通孔 (TSV) 技术仍是集成 3D 格式单晶器件元件的唯一可行方法。尽管单片 3D (M3D:monolithic 3D) 集成方案前景光明 ,但尚未证明无需中间晶圆即可无缝连接单晶
中信证券发布研报称,1月15日晚间,BIS修订了《出口管理条例》(EAR),修改DRAM先进存储定义,工艺节点仍为18nm,存储单元面积及存储密度由24年12月的1ynm变为1xnm,同时增加TSV通孔数限制,对HBM和先进DRAM的限制再加码,倒逼产业链国产
高带宽存储器(HBM)是一种采用三维堆叠和硅通孔(TSV)等技术的高性能DRAM,其核心优势在于,增加了存储堆栈的数量和位宽,缩短了存储芯片和逻辑芯片之间的距离,降低了工作电压并减少了信号线的数量和长度,因此具备高带宽、低延迟和低功耗等优势。
硅通孔 (TSV) 可缩短互连长度,从而降低芯片功耗和延迟,以更快地将信号从一个设备传输到另一个设备或在一个设备内传输。先进的封装技术可在更薄、更小的模块中实现所有这些功能,适用于移动、AR/VR、生物医学和可穿戴设备市场。
硅通孔 (TSV) 可缩短互连长度,从而降低芯片功耗和延迟,以更快地将信号从一个设备传输到另一个设备或在一个设备内传输。先进的封装技术可在更薄、更小的模块中实现所有这些功能,适用于移动、AR/VR、生物医学和可穿戴设备市场。
随着先进AI加速器、图形处理单元及高性能计算应用的蓬勃发展,所需处理的数据量正以前所未有的速度激增,这一趋势直接推动了高带宽内存(HBM)销量的急剧攀升。
据悉,美国商务部BIS将于本周四(11月28日)“感恩节假期前”公布限制中国科技发展的新出口管制措施,预计将有约200家中国芯片公司纳入贸易限制名单,无法获取美国公司的产品。
受开发和改进大型语言模型(如ChatGPT)的巨大努力和投资推动,HBM库存已售罄。HBM是存储创建这些模型所需大部分数据的首选内存,而通过增加更多层来提高密度以及SRAM扩展的局限性,正在为这一热潮火上浇油。