随着半导体器件不断缩小，在性能和功耗之间取得平衡变得越来越具有挑战性。当晶体管尺寸缩小到2纳米及更小时，Nanosheet技术已经逐渐取代鳍式场效应晶体管(FinFET)架构。本文探讨了通过选择性层减薄技术实现多阈值电压解决方案的创新方法[1]。

纳米 阈值 减薄 nanosheet nanosheet技术 2025-04-03 21:24  1

叉片式场效应晶体管（Forksheet FET)是在纳米片晶体管(Nanosheet FET)基础上将纳米片变为叉片式结构（fork structure)形成的一种新型器件架构。N/PFET通过电介质墙（dielectric wall）实现物理分离，使得NP

架构 nanosheet nanosheet架构 gaana 2025-03-22 23:29  3