深圳市金易微半导体取得一种功率器件 MOS 堆叠封装 Bumpless 引线键合结构专利，减小整个芯片封装的体积
金融界 2025 年 3 月 31 日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市金易微半导体有限公司取得一项名为“一种功率器件 MOS 堆叠封装 Bumpless 引线键合结构”的专利，授权公告号 CN 222690682 U，申请日期为 2024 年 5 月。
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去年亏损收窄全靠“砍”研发？舒泰神业绩持续承压|财报解读
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南京中兴金易申请农作物病害智能预警专利，提高了在复杂多变气象条件下的病害预测准确性
国家知识产权局信息显示，南京中兴金易数字科技有限公司申请一项名为“农作物病害智能预警系统及方法”的专利，公开号 CN 119649250 A，申请日期为2024年12月。