旺宏电子申请存储器元件及其形成方法专利,可应用于制造高容量与高性能的 3DNAND 闪存工艺 金融界 2025 年 3 月 19 日消息,国家知识产权局信息显示,旺宏电子股份有限公司申请一项名为“存储器元件及其形成方法”的专利,公开号 CN 119629997 A,申请日期为 2023 年 9 月。 存储器 存储器元件 旺宏 闪存 3dnand闪存 2025-03-19 17:43 2