TEL(东京电子 )超越1nm
将涵盖那些能够推动逻辑晶体管和互连技术持续向1nm节点及更先进制程演进的工艺技术。衡量逻辑密度的关键指标是 “逻辑单元宽度 × 逻辑单元高度” 的乘积。栅极间距的微缩是逻辑单元宽度微缩的关键因素。为实现这一点，栅极长度、栅极侧壁宽度和接触特征尺寸的微缩是必要的
场效应
芯片巨头们，亮相下一张“王牌”
它是在巨大的进步飞跃基础上发展起来的，年复一年地积累，其发展速度可能超过历史上任何其他行业。国际电子器件制造会议（IEDM）是芯片制造商展示这一进展的关键平台之一。会议论文主题涵盖从具有商业相关性的，到那些最终可能具有商业相关性的，以及其他一些可能不具备商业相
TSMC的互补型场效应晶体管(CFET)技术
半导体行业在晶体管架构方面经历了显著的演变。从传统平面设计到FinFET，再到更先进的架构，每一次转变都源于对更好性能和持续缩放的追求。本文探讨这一发展历程中的突破——互补型场效应晶体管(CFET)技术。
黑砷烯多光谱集成场效应晶体管，助力高分辨率成像与增强安全通信
随着现代通信技术的发展，对宽带、室温红外和太赫兹（THz）探测器的需求迅速增长。这些探测器在电信、安全检查、非破坏性测试和医学诊断等领域有着至关重要的应用。然而，现有的光探测器面临着诸如高本征暗电流和需要低温冷却等挑战，这些限制了它们在探测低能光子方面的效率。
美国西北大学Science：效率 26.3%！用于化学和场效应钝化的配体的酰胺化可稳定反式钙钛矿太阳电池
美国西北大学Edward H. Sargent团队在Science期刊发表题为“Amidination of ligands for chemical and field-effect passivation stabilizes perovskite sol