中科大杨树教授课题组:极端应力瞬态中的功率芯片实时结温监测
近日,中国科学技术大学微电子学院杨树教授课题组在功率芯片结温监测研究方向取得新进展,实现了极端应力瞬态过程中GaN功率芯片的高时域分辨率结温监测,相关成果以“Ultrafast Junction Temperature Mapping During Surge
近日,中国科学技术大学微电子学院杨树教授课题组在功率芯片结温监测研究方向取得新进展,实现了极端应力瞬态过程中GaN功率芯片的高时域分辨率结温监测,相关成果以“Ultrafast Junction Temperature Mapping During Surge
随着人工智能、高性能计算和通信技术的发展,芯片功耗持续攀升,热管理成为限制芯片性能释放的关键因素之一。从芯片到系统,散热路径上每一个环节都在承担越来越重要的角色。