在此，浙江大学朱铁军教授，黄玉辉副教授和付晨光研究员等人报道了在半Heusler（HH）窄带隙半导体TiNiSn、ZrNiSn和TiCoSb中观察到的压电（PE）效应。这些材料展现出的剪切压电应变系数分别达到ZrNiSn的约38皮库仑/牛顿和TiCoSb的33

浙江大学 带隙 压电材料 压电传感器 压电效应 2025-03-14 14:46  1

压电换能技术可实现机械能与电能之间的直接转换，广泛应用于传感、声学、成像、驱动和能量采集等领域。以往压电材料的研究主要集中于具有宽禁带（Eg＜ 1.0 eV）半导体材料通常具有较高电导率，这不利于有效电荷积累形成稳定电压响应。因此，窄禁带半导体材料的压电效应鲜

窄带 赫斯 朱铁军 压电效应 窄带半导体材料 2025-03-14 18:08  1